[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310090696.7
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN103199113B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 陳海晶;王東方;姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管的制備方法，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離；

所述薄膜晶體管的制備方法包括：

形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形；

所述薄膜晶體管的制備方法還包括：

通過構圖工藝形成包括半導體層的圖形；

通過構圖工藝形成包括位于所述半導體層上的柵極絕緣層以及位于所述柵極絕緣層上的柵極的圖形；

形成覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，并通過構圖工藝在所述保護層中形成過孔；

通過構圖工藝形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連；

其中，

所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成半導體層的步驟和形成保護層的步驟之間進行；

所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區和漏極區，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區和漏極區；

所述半導體層為金屬氧化物半導體層；所述形成源極導電層和漏極導電層的步驟在形成柵極絕緣層的步驟和形成保護層的步驟之間進行；且，所述形成包括所述源極導電層和漏極導電層的圖形包括：

通過化學鍍工藝在所述半導體層上表面的源極區和漏極區中分別形成源極導電層和漏極導電層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述源極導電層和漏極導電層由鉬、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構成；

和/或

所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構成。