[發明專利]一種絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法

有效

• 申請號: 201310090689.7
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN103176354A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 謝紅;王浩敏;孫秋娟;劉曉宇;謝曉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于，所述電子束曝光圖形化方法至少包括以下步驟：

1）提供一絕緣襯底；

2）在所述絕緣襯底上旋涂電子束光刻膠；

3）在所述電子束光刻膠上表面形成金屬薄膜；

4）采用電子束系統進行曝光將所設計的圖形轉移至電子束光刻膠上；

5）在得到的光刻圖形上沉積金屬層，形成金屬電極；

6）剝離，去除光刻膠，及多余的金屬后得到所需金屬圖形。

2.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟1）中的絕緣襯底厚度為10μm以上。

3.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述絕緣襯底的材料為SiO₂、Al₂O₃或MgO中的一種。

4.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟2）中的具體步驟如下：首先，在所述絕緣襯底上旋涂小分子量的電子束光刻膠；接著再旋涂大分子量的電子束光刻膠。

5.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟3）中形成的金屬薄膜厚度不超過15nm。

6.根據權利要求4、5所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述金屬薄膜的材料為Au。

7.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟3）中的金屬薄膜厚度為15nm以內的不連續薄膜或連續薄膜。

8.根據權利要求7所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟3）中的金屬薄膜為連續薄膜時，所述步驟4）中還包括超聲振動的步驟。

9.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟1）還包括將該絕緣襯底清洗并烘干的步驟。

10.根據權利要求1所述的絕緣襯底上的電子束曝光圖形化方法，其特征在于：所述步驟3）和步驟4）之間還包括旋涂另一光刻膠層的步驟，所述另一光刻膠層為大分子量的電子束光刻膠；所述步驟2）中的光刻膠層為小分子量的電子束光刻膠。