[發明專利]動態調整快取層級方法

有效

• 申請號: 201310090525.4
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN104063182B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 吳柏緯;陳信宇
• 申請（專利權）人: 宏碁股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明是有關于一種調整快取層級方法，且特別是有關于一種動態調整快取層級方法。

背景技術

隨著半導體技術的進步，存儲器的容量已大幅提升，而快閃存儲器(flash memory)因具有非易失性、省電、體積小等特性，特別適合使用于可攜式電子裝置。因此，近年來已出現一種使用反及快閃(NAND flash)存儲器做為數據存儲媒介的固態硬盤(solid state disk，SSD)。

固態硬盤的特別之處在于利用快閃存儲器的特性來取代傳統硬盤(hard disk drive，HDD)的機械結構，通過區塊寫入和抹除的方式進行數據存取，因此可大幅提升存儲裝置的讀寫效率。與傳統的存儲裝置相較，固態硬盤具有低耗電、耐震、耐低溫、穩定性高等優點?？蓴y式電子裝置為了體積考量，已逐漸采用固態硬盤作為數據的主要存儲裝置。

然而，固態硬盤的價格高昂，市面上消費電子產品所能配備的固態硬盤的容量相當有限。因此，由大容量傳統硬盤與小容量高速固態硬盤所組成的雙盤式系統日漸普及，其中主要的數據存取仍然來自于傳統硬盤，固態硬盤則是被當成“快取空間”以及“休眠數據存儲區”來使用。藉此，一方面將電腦平臺的平均數據存取速度大幅提升，另一方面有效縮短自休眠回復的時間。而為了能夠有效率地使用此塊小容量固態硬盤，有必要根據現行操作系統的特性，設計出一種可實行且具有高效率的雙盤式系統。

發明內容

有鑒于此，本發明提出一種動態調整快取層級(Cache level)方法，可適應性地調整用于快取數據的快取層級。

本發明提出一種動態調整快取層級方法，適于包含存儲單元的電子裝置，所述方法包括下列步驟。根據存儲單元存取數據的歷史記錄，估計存儲單元的估計使用期限，其中數據依照重要性區分為多個數據層級。判斷估計使用期限是否超過預設使用期限。當估計使用期限未超過預設使用期限時，提高存儲單元快取數據的快取層級，其中快取層級對應于重要性排序在前的至少一所述數據層級。

基于上述，通過本發明提出的動態調整快取層級方法，可在判斷存儲單元的估計使用期限無法達到預設使用期限時，提高存儲單元快取數據的快取層級。如此一來，可使得存儲單元使用壽命延長，進而讓存儲單元可達到其預設使用期限。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依據本發明的一實施例示出的動態調整快取層級方法；

圖2是依據本發明的一實施例示出的動態調整快取層級方法；

圖3是依據本發明的一實施例示出的動態調整快取層級的流程圖；

圖4是依據本發明的一實施例示出的依據快取層級快取數據至存儲單元的方法流程圖。

附圖標記說明：

S110～S140、S210～S270、S310～S370、S410～S490：步驟。

具體實施方式

圖1是依據本發明的一實施例示出的動態調整快取層級方法。本實施例提出的方法適用于具有存儲單元的電子裝置。所述存儲單元例如是固態硬盤(Solid State Drive，SSD)，或是單層單元(Single Level Cell，SLC)NAND型快閃存儲器等。以下將對本實施例的各個方法步驟進行詳細說明。

首先，在步驟S110中，電子裝置可根據存儲單元存取數據的歷史記錄，估計存儲單元的估計使用期限。在本實施例中，電子裝置可通過存儲單元(例如，固態硬盤)來快取數據，而所述數據可依照其重要性區分為多個數據層級。此外，電子裝置可定義存儲單元的一快取層級，以作為是否快取數據至存儲單元的依據。詳細而言，在一實施例中，存儲單元(例如，固態硬盤)可與傳統硬盤(Hard Drive Disk，HDD)整合為存儲裝置，以供使用者存儲各種數據。其中，當電子裝置欲存儲一第一數據時，電子裝置可先依據第一數據的重要性(與第一數據的檔案類型相關)而找出其對應的數據層級。接著，電子裝置可判斷第一數據的數據層級是否高于所述快取層級。若是，則電子裝置可將第一數據快取至存儲單元中，以讓電子裝置之后可較快速地存取所述第一數據。另一方面，若第一數據的數據層級低于快取層級時，電子裝置則可將第一數據存儲至例如傳統硬盤中，但本發明不限于此。換言之，當快取層級較高時，代表只有重要性較高的數據會被快取至存儲單元中，因而可使得存儲單元被存取的次數降低。而當快取層級較低時，代表具有較低重要性的數據亦會被快取至存儲單元中，因而使得存儲單元被存取的次數提高。