[發(fā)明專利]輻射存儲熒光體及其應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310090415.8
• 申請日: 2005-12-16
• 公開（公告）號: CN103396790A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·里森;W·A·卡克茲馬雷克
• 申請（專利權(quán)）人: 劑量和成像股份有限公司
• 主分類號: C09K11/61
• 分類號: C09K11/61;G01T1/10;G01T1/29;G03B42/02;G21K4/00
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 蘇萌;鐘守期

1.一種光激勵存儲熒光體，該光激勵存儲熒光體包括至少一種+3價氧化態(tài)稀土元素，其中一旦受到X射線、γ射線或UV輻射，則+3價氧化態(tài)降階為+2價氧化態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的光激勵存儲熒光體，其中所述稀土元素是從包括鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥的組中選取的，優(yōu)選所述稀土元素是從包括釤、鏑、銪、和釓的組中選取的，并且最優(yōu)選所述稀土元素是釤。

3.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述熒光體包括至少一種鹵素元素，優(yōu)選所述鹵素元素是從包括氟、氯、碘和溴的組中選取的，更優(yōu)選所述鹵素元素是溴或氯，并且最優(yōu)選所述鹵素元素是氯。

4.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述熒光體還包括堿土金屬，優(yōu)選所述堿土金屬是從包括鋇、鈣和鍶的組中選取的，更優(yōu)選所述堿土金屬是鋇或鍶，并且最優(yōu)選所述堿土金屬是鋇。

5.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述光激勵存儲熒光體由以下公式（A）表示：

MeX¹X²:RE³⁺，其中Me表示金屬離子，

X¹和X²是相互獨(dú)立地從包括氯、氟、溴和碘的組中選取的鹵原子；以及

RE是稀土元素。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的光激勵存儲熒光體，其中X¹和X²彼此不相同，并且優(yōu)選所述X¹是F。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6任何一項(xiàng)的光激勵存儲熒光體，其中所述由公式（A）表示的光激勵存儲熒光體中的金屬離子Me是二價金屬離子，優(yōu)選所述金屬離子是堿土金屬或第Ⅱ族金屬離子，更優(yōu)選所述金屬離子是堿土金屬離子，并且最優(yōu)選所述堿土金屬離子是鍶、鋇或鈣。

8.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述光激勵存儲熒光體是堿土金屬氟鹵化物，該堿土金屬氟鹵化物由三價氧化態(tài)稀土金屬激活，優(yōu)選所述堿土金屬氟鹵化物由從包括釤、銪、鏑和釓的組中選取的稀土金屬激活，更優(yōu)選所述稀土金屬是釤或鏑，并且最優(yōu)選所述稀土金屬是釤。

9.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述光激勵存儲熒光體由從包括BaFCl:Sm³⁺、CaFCl:Sm³⁺和SrFCl:Sm³⁺的組中選取的公式表示。

10.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，其中所述光激勵存儲熒光體具有四面體或同形晶體結(jié)構(gòu)，優(yōu)選所述四面體晶體結(jié)構(gòu)具有空間群P4/nmm(D⁷_4h)。

11.根據(jù)前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光激勵存儲熒光體，包括晶粒尺寸在約10到約1000nm之間的光激勵存儲熒光體，優(yōu)選所述光激勵存儲熒光體的晶粒尺寸在約100到約300nm之間，并且更優(yōu)選所述光激勵存儲熒光體的晶粒尺寸在約10到約200nm之間。

12.一種輻射圖像存儲面板、輻射存儲設(shè)備或輻射存儲放射量測定器，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至11中任何一項(xiàng)的光激勵存儲熒光體。

13.一種用于制備光激勵存儲熒光體的方法，該方法包括混合第一溶液和第二溶液以形成反應(yīng)混和物，其中所述第一溶液包括金屬鹵化物和稀土鹵化物，其中這些鹵化物是獨(dú)立地從包括氯化物、溴化物、碘化物的組中選取的，以及所述第二溶液包括氟化物類。

14.一種記錄和再現(xiàn)圖像的方法，該方法包括以下步驟：

（i）將包括根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求1至11中任何一項(xiàng)的光激勵存儲熒光體的輻射圖像存儲面板曝光在穿過目標(biāo)或從目標(biāo)輻射的輻射下；

（ii）將輻射圖像存儲面板曝光于波長在光激勵存儲熒光體的激發(fā)光波長范圍內(nèi)的電磁波下；以及

（iii）檢測發(fā)射光。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中所述激發(fā)光的波長比所述發(fā)射光的波長短。