[發明專利]采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管

無效

• 申請號: 201310090081.4
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN103187529A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 程曉曼;梁曉宇;杜博群;白瀟;樊建鋒
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：由氧化銦錫（ITO）玻璃襯底兼柵電極、有機聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）柵絕緣層、有機半導體并五苯（Pentacene）鈍化層、n型有機半導體C₆₀有源層、Al源電極和Al漏電極疊加組成，其結構表達式為ITO/PMMA/Pentacene/C60/Al。

2.根據權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：所述氧化銦錫（ITO）玻璃襯底兼柵電極的厚度為0.7nm，方塊電阻為10Ω/□。

3.根據權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：所述柵有機聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）柵絕緣層的厚度為390nm。

4.根據權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：所述有機半導體并五苯（Pentacene）鈍化層的厚度為2nm。

5.根據權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：所述n型有機半導體C₆₀有源層的厚度為40nm，C₆₀材料的分子量為720，遷移率為10^-3cm²/Vs。

6.根據權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管，其特征在于：所述Al源電極、Al漏電極的厚度均為150nm。

7.一種如權利要求1所述采用并五苯作為柵絕緣層鈍化的C60有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）以厚度為0.7nm的氧化銦錫玻璃為柵電極兼襯底，其表面依次分別用去離子水、丙酮和異丙醇超聲清洗各一次；

2）在上述柵電極上利用旋涂甩膜的方法制備厚度為390nmPMMA柵絕緣層；

3）在上述柵絕緣層上采用真空蒸鍍法沉積厚度為2nm的并五苯鈍化層；

4）在上述鈍化層上采用真空蒸鍍法沉積厚度為40nm的C60有源層；

5）采用溝道長80μm和寬4mm的掩膜版真空蒸鍍法沉積厚度均為150nm的鋁源電極、鋁漏電極。