[發明專利]可變電阻存儲器件

有效

• 申請號: 201310089478.1
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN103367387B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 李承桓
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;石卓瓊

1.一種可變電阻存儲器件，包括：

成對的第一電極和插入在所述成對的第一電極之間的第二電極；

第一可變電阻材料層，所述第一可變電阻材料層插入在所述第一電極中的一個第一電極與所述第二電極之間，其中所述第一可變電阻材料層直接耦接至所述第二電極和所述第一電極中的所述一個第一電極；以及

第二可變電阻材料層，所述第二可變電阻材料層插入在所述第一電極中的另一個第一電極與所述第二電極之間，其中所述第二可變電阻材料層直接耦接至所述第二電極和所述第一電極中的所述另一個第一電極，

其中，所述成對的第一電極彼此電連接，以及

所述第一可變電阻材料層的第一設定電壓和第一復位電壓分別與所述第二可變電阻材料層的第二設定電壓和第二復位電壓不同，

其中，所述第一可變電阻材料層的材料、寬度以及厚度中的至少一種與所述第二可變電阻材料層的材料、寬度以及厚度中的至少一種不同。

2.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第一設定電壓和第二設定電壓具有第一極性，并且第一復位電壓和第二復位電壓具有與所述第一極性不同的第二極性。

3.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，所述可變電阻存儲器件具有：第一狀態，在所述第一狀態中，所述第一可變電阻材料層和所述第二可變電阻材料層處于高電阻狀態；第二狀態，在所述第二狀態中，所述第一可變電阻材料層處于高電阻狀態，而所述第二可變電阻材料層處于低電阻狀態；第三狀態，在所述第三狀態中，所述第一可變電阻材料層和所述第二可變電阻材料層處于低電阻狀態；以及第四狀態，在所述第四狀態中，所述第一可變電阻材料層處于低電阻狀態，而所述第二可變電阻材料層處于高電阻狀態，并且所述可變電阻存儲器件被配置成根據施加給所述第一可變電阻材料層和所述第二可變電阻材料層的電壓而在所述第一狀態至所述第四狀態之間變換。

4.如權利要求2所述的可變電阻存儲器件，其中，所述第二設定電壓具有比所述第一設定電壓小的幅值，并且所述第二復位電壓具有比所述第一復位電壓小的幅值。

5.如權利要求4所述的可變電阻存儲器件，其中，當施加給高電阻狀態的所述第一可變電阻材料層和第二可變電阻材料層的電壓達到所述第二設定電壓時，所述第二可變電阻材料層被配置成變換成低電阻狀態，

當施加給低電阻狀態的所述第二可變電阻材料層和高電阻狀態的所述第一可變電阻材料層的電壓達到所述第一設定電壓時，所述第一可變電阻材料層被配置成變換成低電阻狀態，

當施加給低電阻狀態的所述第一可變電阻材料層和所述第二可變電阻材料層的電壓達到所述第二復位電壓時，所述第二可變電阻材料層被配置成變換成高電阻狀態，以及

當施加給高電阻狀態的所述第二可變電阻材料層和低電阻狀態的所述第一可變電阻材料層的電壓達到所述第一復位電壓時，所述第一可變電阻材料層被配置成變換成高電阻狀態。

6.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，其中，在所述成對的第一電極之中的與所述第一可變電阻材料層接觸的一個第一電極包括位于第一層處且沿著第一方向彼此平行延伸的多個導線，

與所述第二可變電阻材料層接觸的另一個第一電極包括位于與所述第一層不同的第二層處且沿著所述第一方向彼此平行延伸的多個導線，以及

第二電極包括位于所述第一層與所述第二層之間且沿著與所述第一方向交叉的第二方向彼此平行延伸的多個導線。

7.如權利要求1所述的可變電阻存儲器件，還包括接觸，所述接觸具有與所述第一電極中的一個第一電極接觸的一個端部、和與所述第一電極中的另一個第一電極接觸的另一個端部。