[發明專利]DRAM存儲器的糾錯方法有效
| 申請號： | 201310088811.7 | 申請日： | 2013-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN103187104B | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發明（設計）人： | 亞歷山大 | 申請（專利權）人： | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/42 | 分類號： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 楊引雪 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | dram 存儲器 糾錯 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲器的糾錯方法，其特征在于，包括以下步驟：
1]讀入外部數據，根據設定的規則產生監督位，同時產生表征位，將外部數據、表征位、監督位存入存儲器；其中，監督位用于實現數據讀入的檢測和糾錯，表征位用于表征是否存在數據屏蔽；若存在數據屏蔽，表明監督位無效，若不存在數據屏蔽，表明監督位有效；
2]讀出存儲器內的外部數據、表征位、監督位；若表征位表征存在數據屏蔽，表明監督位無效且數據讀出時不進行解碼和糾錯，若表征位表征不存在數據屏蔽，表明監督位有效且數據讀出時用監督位進行解碼和糾錯。
2.根據權利要求1所述的存儲器的糾錯方法，其特征在于：所述外部數據為64位漢明碼時，監督位為7位，表征位為1位，表證位作為65位數據串中的第65位。
3.根據權利要求1或2所述的存儲器的糾錯方法，其特征在于：所述步驟2中如果僅存在1位數據錯誤時，當錯誤數據為表征位或監督位時，無需糾錯；當錯誤數據不是表征位或監督位，則根據表征位判斷是否存在數據屏蔽，若不存在數據屏蔽，用監督位對外部數據進行糾錯，若存在數據屏蔽時，不糾錯。
4.根據權利要求3所述的存儲器的糾錯方法，其特征在于：所述步驟2中如果存在兩位及以上數據錯誤時，不糾錯。
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