[發(fā)明專利]DRAM自刷新方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310088727.5
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN103187091A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 亞歷山大
• 申請（專利權）人: 西安華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 楊引雪

技術領域

本發(fā)明涉及一種DRAM自刷新方法，該方法主要用于在DRAM自刷新時消除歷史噪聲的影響并實現(xiàn)糾錯的功能。

背景技術

DRAM中單個存儲單元（the?single?cell）出錯不是因為長的刷新(refresh)時間，更多的是由于在長時間工作下，工作模型或歷史噪聲產生的拓撲導致的錯誤，因此，歷史噪聲（從某方面來說，比如相鄰單元的拓撲等）非常嚴重的。

在DRAM自刷新(SRF)的時候，每次一根字線(word?line)被激活并保持一定時間的激活狀態(tài)。在傳統(tǒng)的方法里，自刷新的時候只會刷新存儲單元存儲的數(shù)據(jù)，不進行讀寫操作，從而導致無法用ECC判斷存儲的數(shù)據(jù)是否正確(如果要用ECC進行判斷，需要讀寫操作)，也無法進行糾正。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種DRAM自刷新方法，主要解決了現(xiàn)有DRAM在進行自刷新時，僅刷新存儲單元存儲數(shù)據(jù)而不進行讀寫操作從而導致了歷史噪聲對單元的影響以及DM對ECC的限制的問題。

本發(fā)明的具體技術解決方案如下：

該DRAM自刷新方法包括以下步驟：

1]對存儲單元中的字線進行激活；

2]讀出激活的字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，并通過解碼判斷字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位是否存在錯誤，若不存在錯誤，則進行下個字線的激活，若存在錯誤，則進行錯誤糾正，并將糾正后的正確數(shù)據(jù)寫回存儲單元中，然后進行下個字線的激活。

若存儲單元中的字線上存在數(shù)據(jù)屏蔽信息位，則步驟1完成后進行步驟3，3]根據(jù)信息位判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽，若不存在數(shù)據(jù)屏蔽，則進入步驟2處理；若存在數(shù)據(jù)屏蔽，則不進行讀寫操作，不改寫當前狀態(tài)，直接進入下個字線的激活，或先讀出字線上的數(shù)據(jù)，然后對數(shù)據(jù)進行編碼操作生成新的監(jiān)督位，再將新的監(jiān)督位寫回存儲單元中，然后進行下個字線的激活；若直接進入下個字線的激活，DM的信息位存儲的值不改變；若寫入新的監(jiān)督位，DM的信息位存儲的值要做相應的改變。

本發(fā)明的優(yōu)點在于：

本發(fā)明提供的DRAM自刷新方法可在字線被激活的時間里同時進行讀寫操作，進行讀寫操作的次數(shù)取決于字線的激活時間和工作頻率。

該DRAM自刷新方法通過在自刷新的過程中在字線激活時進行讀寫操作去消除歷史噪聲的影響；若在進行讀寫操作時刷新了監(jiān)督位，還能解決由于DM不能進行檢測和糾正數(shù)據(jù)的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的流程圖。

具體實施方式

本發(fā)明所依據(jù)的原理是：首先讀出數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，然后通過解碼過程判斷是否有錯：如果沒錯，繼續(xù)下個讀操作；如果有錯，把錯誤糾正并寫回存儲單元，然后繼續(xù)下個讀操作。

對于DM，可先用DM信息位判斷是否有DM：如果沒有，執(zhí)行以上的操作；如果有，把數(shù)據(jù)讀出，然后把這些數(shù)據(jù)進行編碼操作產生新的監(jiān)督位后再把新的監(jiān)督位寫回存儲單元。當然，如果想提高效率，也可在判斷DM信息位后：如果沒有，執(zhí)行以上操作；如果有，不執(zhí)行讀寫操作，不改寫當前狀態(tài)，直接進入下個讀操作。可根據(jù)是要正確率還是刷新速度選取是否執(zhí)行ECC的編碼并回寫操作，要注意是否需要改寫DM信息位存儲的值。

以下結合實施例及附圖對本發(fā)明進行詳述：

以1G?DDR3為例，若只進行自刷新不讀寫，需要激活8k個字線，全部刷新完需要64ms（毫秒）。若在自刷新時進行讀寫操作，對于一個字線，有128個列選信號需要讀寫，假定每次字線激活的時間內平均可進行4次讀寫操作，那新的帶讀寫操作的自刷新時間將變?yōu)?4ms*128/4=64ms*32=2048ms。若不需要糾正和回寫數(shù)據(jù)以及重寫監(jiān)督位，每次字線激活時間內能進行更多的讀操作。

圖1為相應的流程圖，其中WL是字線，CSL是列選信號。每列對應一次傳統(tǒng)的自刷新循環(huán)，遍歷8k個字線；總的對應一次新的帶讀寫操作的自刷新循環(huán)，包含了對所有單元的額外讀寫操作。

此方法在不影響傳統(tǒng)的刷新方式（只要字線激活一定時間就相當于對字線下對應的所有單元進行刷新）的基礎上，通過增加額外的讀寫操作，即消除了歷史噪聲對單元的影響，又改善了DM對ECC的限制。