[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310088391.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104064649A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖豐標(biāo) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇揚(yáng)景光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/36 | 分類號(hào): | H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 226600 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 電極 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu),包括發(fā)光組件(2),所述發(fā)光組件(2)下方設(shè)有n電極層(1),其特征在于:所述發(fā)光組件(2)上方設(shè)有p電極層(3),所述p電極層(3)上方設(shè)有p焊盤(5),所述p電極層(3)與p焊盤(5)之間設(shè)有阻障層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu),其特征在于:所述阻障層(4)的厚度為0.1~1μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu),其特征在于:所述阻障層(4)的材料為鈦、鎢、鉭、鉬上述材料的合金,或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu),其特征在于:所述p電極層(3)為金鋅合金、金鈹合金或鈦鉑合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu),其特征在于:所述p焊盤(5)為鈦和鋁的合金、鈦和金的合金或鈦、鋁和金的合金,所述p焊盤(5)的總厚度為0.5~3.0μm。
6.制造如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)的方法,其特征在于:包括如下步驟:
(1)在半導(dǎo)體迭層的窗口層上沉積p電極層材料;
(2)在p電極層上沉積阻障層材料;
(3)在阻障層上沉積p焊盤材料;
(4)微影:在透光襯底的一個(gè)表面涂布感光材料;在該表面的上方放置光罩,該光罩上設(shè)有與所述圖案相同的圖案;曝光:使平行光經(jīng)過光罩對(duì)感光材料進(jìn)行選擇性的曝光,使光罩的圖案完整的轉(zhuǎn)移至透光襯底的表面上;顯影,使感光材料獲得與光罩圖案相同或互補(bǔ)的圖案;
(5)干式蝕刻:對(duì)所述感光材料進(jìn)行干式蝕刻,使得所述P電極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一個(gè)與光罩圖案相同或互補(bǔ)的圖案;
(6)進(jìn)行退火工序以得到奧姆接觸:退火的工序在300-550℃的爐管中10秒至3分鐘或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
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