[發明專利]一種高性能太陽能電池的制備方法無效
| 申請號: | 201310088313.2 | 申請日: | 2013-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103208538A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 楊偉強;嚴金梅;王士釗;張鵬程 | 申請(專利權)人: | 晶澳太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
| 地址: | 055550 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 性能 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:將常規晶體硅電池的正電極由n條單一寬度的正電極變更為n條以上由窄正電極和寬正電極交替連接而成的正電極,且每條正電極均起始于窄正電極并終止于窄正電極,其中窄正電極的寬度為0.08~0.3mm,寬正電極的寬度W′為0.5~2.0mm。
2.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:所述單一寬度的正電極的寬度W為1.5~4.0mm。
3.根據權利要求2所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:所述n條以上由窄正電極和寬正電極交替連接組成的正電極的條數小于等于nW/?W′。
4.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:所述N條以上由窄正電極和寬正電極交替連接組成的正電極以晶體硅片的中心軸線為中心線相對稱分布。
5.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:在晶體硅片上還設有多條與所述N條以上由窄正電極和寬正電極交替連接而成的正電極相垂直設置的細柵線。
6.根據權利要求5所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:所述多條與所述N條以上由窄正電極和寬正電極交替連接而成的正電極相垂直設置的細柵線間距相同,位于靠近晶體硅片邊緣處的細柵線距離電池邊緣的距離為1~1.5mm。
7.根據權利要求5所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:所述細柵線的條數為60~150根,細柵線的寬度為15~80μm。
8.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:對于6.5’晶體硅片,每條正電極由7段窄正電極和6段寬正電極交替連接組成,對于8’晶體硅片,每條正電極由9段窄正電極和8段寬正電極交替連接組成。
9.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:位于每條正電極起始端的窄正電極和終止端的窄正電極的寬度尺寸與位于每條正電極中間部位的窄正電極的寬度尺寸不同。
10.根據權利要求1所述的高性能太陽能電池的制備方法,其特征是:位于每條正電極起始端的窄正電極和終止端的窄正電極的寬度尺寸與位于每條正電極中間部位的窄正電極的寬度尺寸相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





