[發(fā)明專利]一種低密度InAs量子點的分子束外延生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310088301.X | 申請日： | 2013-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN103194793A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李密鋒;喻穎;賀繼方;査國偉;尚向軍;倪海橋;賀振宏;牛智川 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | C30B23/02 | 分類號： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 密度 inas 量子 分子 外延 生長 方法 | ||
1.一種低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其包括如下步驟：
步驟1：在襯底上生長InAs犧牲層量子點；
步驟2：原位高溫退火使InAs犧牲層量子點完全解吸附；
步驟3：微調(diào)InAs犧牲層量子點二維到三維轉(zhuǎn)化的臨界生長參數(shù)，以微調(diào)后的所述臨界生長參數(shù)生長InAs有源層量子點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，生長InAs犧牲層量子點時，原位獲取InAs二維到三維轉(zhuǎn)化的臨界生長參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，其中步驟2中原位高溫退火溫度范圍：571～599℃，退火時間5分鐘至10分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，步驟2中所述高溫退火使InAs犧牲層量子點完全解吸附后生長一定厚度的GaAs進(jìn)行隔離，進(jìn)一步消除InAs犧牲層量子點的影響。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，其中所述的微調(diào)InAs犧牲層量子點生長參數(shù)包括升高生長溫度或者降低生長厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，步驟1中生長InAs犧牲層量子點的生長溫度為516℃，而InAs有源層量子點的生長溫度為將所述InAs犧牲層量子點的生長溫度升高5℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，該方法中所述InAs犧牲層量子點二維到三維轉(zhuǎn)化的臨界生長參數(shù)是通過反射式高能電子衍射儀(RHEED)原位獲取的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，所述襯底為GaAs襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低密度InAs量子點分子束外延生長方法，其特征在于，所述臨界生長參數(shù)包括InAs犧牲層量子點從二維到三維轉(zhuǎn)化的臨界生長厚度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310088301.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：布
- 下一篇：一種制冷設(shè)備電腦控制線路示教板
