[發明專利]具備充電系統的半導體裝置

有效

• 申請號: 201310088108.6
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN103326414B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 見谷真;渡邊考太郎
• 申請（專利權）人: 精工半導體有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

1.一種具備充電系統的半導體裝置，其特征在于，所述充電系統具備：

發電單元，其供給電力；

蓄電單元，其對所述發電單元的電力進行蓄電；

開關單元，其設置在用于將所述發電單元的電力充入至所述蓄電單元的充電路徑上，通過斷開該開關單元而設定為非充電狀態；

比較器，其由所述發電單元的電力驅動，對參照電壓與所述蓄電單元的蓄電電壓進行比較；以及

電平轉換器，其設置在所述比較器與所述開關單元之間，對所述比較器的判定結果進行電壓電平轉換而從所述發電單元的發電電壓轉換到所述蓄電電壓，并傳遞給所述開關單元，

所述開關單元設置在所述蓄電單元與所述比較器之間，在斷開所述開關單元而設定為非充電狀態時，所述比較器也由所述發電單元的電力驅動。

2.根據權利要求1所述的具備充電系統的半導體裝置，其特征在于，

所述參照電壓是所述發電單元的發電電壓。

3.根據權利要求1所述的具備充電系統的半導體裝置，其特征在于，

所述參照電壓是恒壓輸出單元輸出的恒壓。

4.根據權利要求3所述的具備充電系統的半導體裝置，其特征在于，

在所述恒壓輸出單元中，

在所述發電電壓低于過充電防止電壓時，所述恒壓是與所述發電電壓相同電平的電壓，

在所述發電電壓是所述過充電防止電壓以上時，所述恒壓是與所述過充電防止電壓相同電平的電壓。

5.根據權利要求3或4所述的具備充電系統的半導體裝置，其特征在于，

所述開關單元由第一MOS晶體管和第二MOS晶體管構成，其中，

所述第一MOS晶體管的背柵端子和一個擴散端子連接到所述蓄電單元側，

所述第二MOS晶體管的背柵端子和一個擴散端子連接到所述發電單元側，另一個擴散端子連接到所述第一MOS晶體管的另一個擴散端子，

所述電平轉換器具有：

第一輸出端子，其根據所述判定結果來輸出接地電壓或者所述蓄電電壓；以及

第二輸出端子，其根據所述判定結果來輸出接地電壓或者所述發電電壓，

所述第一輸出端子與所述第一MOS晶體管的柵極端子連接，

所述第二輸出端子與所述第二MOS晶體管的柵極端子連接。