[發(fā)明專利]自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu2Se熱電材料粉體的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310087520.6
• 申請(qǐng)日: 2013-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN103165809A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐新峰;付帆;張海龍;任廣坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L35/16
• 分類號(hào): H01L35/16;B82Y40/00;C01B19/04
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 唐萬(wàn)榮

1.自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體的方法，其特征在于按化學(xué)計(jì)量比2∶1準(zhǔn)備Cu粉和Se粉作為原料，然后將Cu粉和Se粉混合均勻得到反應(yīng)物，采用直接起爆或恒溫起爆的方式引發(fā)自蔓延反應(yīng)，反應(yīng)完成后自然冷卻，得到具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體的方法，其特征在于所述反應(yīng)物為粉體或者壓制成塊體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體的方法，其特征在于所述自蔓延反應(yīng)中所用氣氛為空氣或者真空或者惰性氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體的方法，其特征在于所述直接起爆的方法為：在所述氣氛下直接加熱反應(yīng)物的一端，直至自蔓延反應(yīng)發(fā)生后，停止加熱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自蔓延高溫快速一步合成具有納米結(jié)構(gòu)Cu₂Se熱電材料粉體的方法，其特征在于所述恒溫起爆方法為：在所述氣氛下，將反應(yīng)物放入溫度不小于220℃的恒溫爐里，加熱反應(yīng)物直至自蔓延反應(yīng)發(fā)生后，停止加熱。