[發明專利]含多測量單元的高壓三軸壓力室有效
| 申請號： | 201310087448.7 | 申請日： | 2013-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN103196490A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 王淑云;魯曉兵;張旭輝;趙京;王愛蘭 | 申請（專利權）人： | 中國科學院力學研究所 |
| 主分類號： | G01D21/02 | 分類號： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡劍輝 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 單元 高壓 壓力 | ||
1.一種高壓三軸壓力室，包括主腔體、位于所述主腔體下部的下底盤和位于所述主腔體上部的上頂蓋，所述下底盤和上頂蓋通過三根軸連接，其特征在于，所述高壓三軸壓力室還包括如下可替換使用的測量單元中的一種或多種：
超聲測量單元，所述超聲測量單元包括：超聲探頭專用上巖心塞和超聲探頭專用下巖心塞，所述超聲探頭專用上巖心塞和超聲探頭專用下巖心塞的內部均設置有超聲探頭，所述超聲探頭專用上巖心塞位于上頂蓋的下部，樣品的上方；所述超聲探頭專用下巖心塞位于下底盤的上部，樣品的下方；
時域反射測量單元，所述時域反射測量單元包括時域反射專用下巖心塞，所述時域反射專用下巖心塞內部設置有時域反射探頭，所述時域反射專用下巖心塞位于下底盤的上部，樣品的下方；
電阻測量單元，所述電阻測量單元包括電阻率專用上巖心塞和電阻率專用下巖心塞，所述電阻率專用上巖心塞和電阻率專用下巖心塞為電阻率測量探頭，所述電阻率專用上巖心塞位于上頂蓋的下部，樣品的上方；所述電阻率專用下巖心塞位于下底盤的上部，樣品的下方；
溫度測量單元，所述溫度測量單元包括溫度測量專用上巖心塞，所述溫度測量專用上巖心塞位于上頂蓋的下部，其上設置有一個以上的溫度測量探頭。
2.如權利要求1所述的高壓三軸壓力室，其特征在于，
當采用時域反射測量單元時，所述時域反射探頭上的探針向上伸出至樣品中部。
3.如權利要求1所述的高壓三軸壓力室，其特征在于，
當采用電阻測量單元時，所述下底盤由絕緣材料制成。
4.如權利要求1所述的高壓三軸壓力室，其特征在于，
溫度測量專用巖心塞上設置有三個不同高度的溫度測量探頭，當采用溫度測量單元時，所述溫度測量探頭向下伸出至樣品中，用于分別測量樣品中三個位置的溫度。
5.如權利要求1所述的高壓三軸壓力室，其特征在于，
所述超聲探頭為外徑為30mm，長度為35mm。
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