[發明專利]一種提高相控硅基液晶器件響應速度的方法

有效

• 申請號: 201310086956.3
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN103197455A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 張紫辰;尤政;初大平
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田俊峰

1.一種提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，包括：

步驟S101，把驅動電壓增加到最大負載電壓Vmax，完成最大電壓驅動過程；

步驟S102，將驅動電壓降至根據器件工作溫度確定的目標電壓值Vi，來實現預期的目標相位值；此時器件需要的時間為t_{d_i}；t_{d_i}是從最大電壓到灰度等級為i時的響應時間，其中i=0，1，2，……，255；

步驟S103，得到最后的相位延遲。

2.如權利要求1所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，在模擬電路驅動下的相控LCOS器件，最大電壓為7V，灰度級從0至255。

3.如權利要求2所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，最大負載電壓Vmax為灰度值為255所對應的負載電壓值。

4.如權利要求2所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，最大負載電壓Vmax為灰度值為189所對應的負載電壓值。

5.如權利要求1～4任一項所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，在步驟S101之前，還包括：

進行直流平衡處理，使硅基液晶器件中加載于液晶材料上的交變電場對稱。

6.如權利要求5所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，在負載電壓由最大負載電壓向目標電壓值降低時，增加一個或多個中間電壓值，負載電壓由最大負載電壓先降到中間電壓值，再降至目標電壓值；同時，在驅動電壓的方波電壓波形的波形前沿和后沿增加預定中間值，減小穩定狀態時的相位擺動。

7.如權利要求1或6所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，在步驟S101之前或步驟S103之后，還包括：

確定調整步長m；

根據相控硅基液晶器件的厚度，結合調整步長m，確定不同的響應區間；

選擇各個響應區間內，響應速度變化最快的一個響應區間作為相控變換的工作區間。

8.如權利要求7所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的CMOS背板中，像素尺寸的大小在1微米到20微米之間，單元像素的形狀為長方形或者正方形。

9.如權利要求7所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的液晶材料為向列型液晶材料、藍相液晶材料或膽固醇型液晶材料。

10.如權利要求9所述的提高相控向列型硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的取向層由高分子聚合物組成的，取向層的摩擦方式是與液晶分子的方向矢量垂直；當液晶材料應用于電控性雙折射率的結構中時，取向層的初始摩擦角為2°；當液晶材料應用于光學補償結構的器件中時，取向層的初始摩擦角不小于8°。

11.如權利要求7所述的提高相控硅基液晶器件響應速度的方法，其特征在于，硅基液晶器件的驅動電壓為正弦波脈沖、三角波脈沖或者方形波脈沖。