[發(fā)明專利]一種中高壓溝槽型功率器件的終端結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310086262.X
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN103839978B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喻巧群;朱陽軍;盧爍今;田曉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;上海聯(lián)星電子有限公司;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種中高壓溝槽型功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，在功率器件的終端區(qū)域至少有一個溝槽，所述溝槽的兩側(cè)均有表面結(jié)，靠近有源區(qū)的一側(cè)為n型注入結(jié)，遠(yuǎn)離有源區(qū)的一側(cè)為p型注入結(jié)，所述溝槽內(nèi)有填充物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述表面結(jié)的濃度均大于所述功率器件的漂移區(qū)濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述表面結(jié)的結(jié)深小于所述溝槽的槽深。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述表面結(jié)的結(jié)深均為0.4-4um。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽的深度范圍為2-15um，所述溝槽的寬度范圍為0.5-5um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述填充物為鈍化物或者導(dǎo)電物質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化物為氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電物質(zhì)為多晶硅。

9.一種中高壓溝槽型功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

通過掩膜版，在n型襯底的終端區(qū)通過濕法刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕形成至少一個溝槽，通過掩膜版，通過離子注入的方法或者擴(kuò)散的方法在所述溝槽中靠近有源區(qū)的一側(cè)形成n型注入結(jié)，在所述溝槽中另一側(cè)形成p型注入結(jié)；通過淀積的方法，在所述溝槽內(nèi)和所述n型襯底的上表面覆蓋鈍化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述制作方法還包括：在所述覆蓋鈍化物之前，先在所述溝槽內(nèi)和所述n型襯底的上表面淀積一層導(dǎo)電物質(zhì)，然后通過等離子體刻蝕的方法，將所述n型襯底上表面的導(dǎo)電物質(zhì)刻蝕掉，最后再通過淀積的方法，在所述溝槽內(nèi)和所述n型襯底的上表面覆蓋鈍化物。