[發(fā)明專利]一種功率器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310086257.9
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN103839805B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳振興;朱陽軍;田曉麗;盧爍今
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;上海聯(lián)星電子有限公司;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/324;H01L21/265
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種功率器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在N+型襯底的上表面淀積N型摻雜的非晶硅薄膜層，形成N型的非晶硅場截止層，經(jīng)高溫退火后，通過外延方法在所述N型的非晶硅場截止層上形成N-外延層，然后在所述N-外延層的上表面形成SiO₂薄膜層；

在所述SiO₂薄膜層的上表面曝光出環(huán)狀區(qū)域，形成終端的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)；

在終端截止環(huán)上曝光出最外圍的環(huán)狀區(qū)域，然后進(jìn)行N+型離子注入和退火，形成終端區(qū)；

對所述功率器件的有源區(qū)進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行P型硼注入和退火，形成P型層；

在所述P型層的正面蒸發(fā)金屬，形成金屬層，經(jīng)刻蝕，將所述有源區(qū)的金屬與所述終端區(qū)的金屬場板隔斷，在所述金屬層上覆蓋氮化硅層，經(jīng)刻蝕后，形成鈍化層；

將所述N+型襯底的背面減薄，形成歐姆接觸，在所述N+型襯底的背面蒸發(fā)金屬薄膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型襯底的厚度為300-500um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀積N型摻雜的非晶硅薄膜層的方法為離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型的非晶硅場截止層的厚度為10-30um，所述N型的非晶硅場截止層的摻雜濃度1e13/cm³-5e13/cm³。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫退火的溫度為300℃-400℃，所述高溫退火的時間為0.5h-1h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N-外延層的晶體硅材料的厚度為50um-100um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述環(huán)狀區(qū)域通過P+型離子注入和退火，形成所述終端的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，P+離子注入劑量為1e14-1e16cm^-2,所述退火的溫度1000℃-1200℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型離子注入的劑量為1e14-1e16cm^-2,所述退火溫度為800℃-950℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型硼注入的劑量為1e12-1e14cm^-2,所述退火溫度為1150℃-1200℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一所述的方法，其特征在于，所述金屬層的金屬為鋁，所述金屬層的厚度為2-4um。