[發明專利]一種晶體硅太陽能電池刻蝕方法有效
| 申請號： | 201310086176.9 | 申請日： | 2013-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN103178159A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 吳春霞 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池刻蝕方法，包括將硅片經過堿槽用藥液以噴淋的方式對硅片進行沖洗的步驟，其特征在于：堿槽中的藥液使用有機堿混合液代替氫氧化鉀，藥液配比為50g/L膽堿+250g/L的四甲基氫氧化銨（TMAH）+100g/L異丙醇的水溶液。
2.如權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池刻蝕方法，其特征在于：藥液溫度為65度，反應時間為90秒。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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