[發明專利]一種高線性度正交調制器射頻集成電路無效
| 申請號: | 201310086136.4 | 申請日: | 2013-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN103166902A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 李奚鵬 | 申請(專利權)人: | 蘇州朗寬電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H04L27/36 | 分類號: | H04L27/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215500 江蘇省蘇州市常熟市東南經*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 線性 正交 調制器 射頻 集成電路 | ||
1.一種正交調制器射頻集成電路,其特征在于包括高線性度混頻器核、共用負載電路、前置四分頻器模塊和共模反饋電路,其中混頻器核是整個電路的核心,采用一種新型的電路結構來提升系統的變頻線性度;前置四分頻器主要產生嚴格的正交差分本振信號;共模反饋電路包括共模電位取出電路和誤差運放。
2.本發明通過同相和正交兩路混頻輸出信號以電流方式在共用負載電路上進行疊加,產生高鏡象抑制度的單邊帶射頻信號,通過輸出共模反饋電路控制輸出差分信號的直流工作點,使得本模塊易于和射頻發射機前端模塊進行接口。
3.根據權利要求1所述的正交調制器射頻芯片,其特征在于所述高線性度混頻器核包括同相支路和正交支路,以同相支路為例,它包括M1~M8共8只MOS場效應晶體管,其中M1~M4為N型MOS管,M5~M8為P型MOS管。
4.具體的,M1和M5、M2和M6、M3和M7、M4和M8分別源漏端相接;M5和M6、M7和M8分別接成并聯形式;M1和M2、M3和M4分別接成差分對形式;M1和M3、M2和M4分別漏端相連且從這里取出輸出信號電流。
5.根據權利要求1所述的正交調制器射頻芯片,其特征在于所述共模反饋電路包括共模電平取出電路和誤差運算放大器。
6.共模電平通過串行連接的兩個電阻R1、R2中間取出,該電平送到誤差運放的正輸入端,與基準電壓進行比較,產生控制信號反饋回作為共用負載電流源的晶體管M9、M10的柵極,進而調整輸出共模電平的大小。
7.當共模電壓值漂高時,誤差放大器輸出電壓上升,控制M9、M10使得晶體管輸出電流變小,從而輸出共模電平被強制拉下來。
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