[發明專利]功率器件-MPT-TI-IGBT的結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201310085533.X
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN103839987A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 朱陽軍;盧爍今;張文亮;張杰;田曉麗
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;上海聯星電子有限公司;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種功率器件-MPT-TI-IGBT的結構，其特征在于：正面結構包括漂移區、柵極、柵氧、發射區、包圍在發射區下部將發射區與漂移區隔開的基區、及重摻雜區，所述發射區和重摻雜區分別與發射極連接，所述發射區和漂移區分別與柵極連接，所述柵極通過柵氧與半導體區域絕緣；背面結構包括集電區、短路區、及位于漂移區下方的微穿通區，所述集電區和短路區相間分布的結構與集電極金屬相連引出集電極。

2.一種權利要求1所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，包括：在完成器件的正面結構后，先在漂移區下面制備微穿通區，然后通過兩次光刻，注入P型摻雜或N型摻雜，制作集電區和短路區，最后背面金屬化形成集電極金屬。

3.根據權利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

在P型襯底上外延一層微穿通區。

4.根據權利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

先取N型襯底半導體作為漂移區，然后減薄后從背面注入第一導電類型的雜質，并擴散形成微穿通區。

5.根據權利要求2所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

先完成器件的正面工藝，將硅片從背面減薄后，從背面注入第一導電類型的雜質，并擴散形成微穿通區。

6.一種權利要求1所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，包括：在完成器件的正面結構后，先在漂移區下面制備微穿通區，整體注入P型摻雜或N型摻雜，然后掩膜，光刻掉部分區域的Si至雜質射程外的深度后，再注入N型摻雜或P型摻雜后退火形成短路區或集電區，最后背面金屬化。

7.根據權利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

在P型襯底上外延一層微穿通區。

8.根據權利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

先取N型襯底半導體做為漂移區，然后減薄后從背面注入第一導電類型雜質，并擴散形成微穿通區。

9.根據權利要求6所述的功率器件-MPT-TI-IGBT的制備方法，其特征在于，所述制備微穿通區包括：

先完成器件的正面工藝，將硅片從背面減薄后，從背面注入第一導電類型的雜質，并擴散形成微穿通區。