[發明專利]PZT系鐵電薄膜的制造方法和PZT系鐵電薄膜

在審

• 申請號: 201310085165.9
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN103359785A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 土井利浩;櫻井英章;渡邊敏昭;曽山信幸
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C01G25/00
• 分類號: C01G25/00;C04B35/622;C04B35/491
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種PZT系鐵電薄膜的制造方法，在具有結晶面沿（111）軸向取向的下部電極的基板的所述下部電極上，涂布PZT系鐵電薄膜形成用組合物并進行臨時燒結之后，燒成而結晶化來在所述下部電極上制造所述PZT系鐵電薄膜，該方法的特征在于，

所述臨時燒結是使用紅外線來進行的，且至少包括：第1保持階段，從0℃～150℃的溫度范圍內的溫度或者從室溫升溫而保持在200℃～350℃的溫度范圍內的溫度；和第2保持階段，從所述第1保持階段的保持溫度升溫而保持在比所述第1保持階段的保持溫度更高的350℃～500℃的溫度范圍內的溫度。

2.如權利要求1所述的PZT系鐵電薄膜的制造方法，其中，

到達所述第1保持階段的第1升溫速度在1℃/秒～10℃/秒的范圍內，從所述第1保持階段升溫而到達所述第2保持階段的第2升溫速度在1℃/秒～100℃/秒的范圍內。

3.如權利要求1或2所述的PZT系鐵電薄膜的制造方法，其中，

所述燒成的保持溫度在450℃～800℃的溫度范圍內，到達所述保持溫度的升溫速度在2.5℃/秒～150℃/秒的范圍內。

4.一種PZT系鐵電薄膜，以權利要求1至3中任一項所述的方法制造的所述鐵電薄膜的膜厚在150nm～400nm的范圍內。

5.一種具有權利要求4所述的PZT系鐵電薄膜的薄膜電容器、電容器、集成無源器件、DRAM存儲器用電容器、層疊電容器、晶體管的柵極絕緣體、非易失性存儲器、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、執行器、諧振器、超聲波馬達或LC噪聲濾波器元件的復合電子組件。