[發明專利]實現淺溝道隔離的工藝方法

有效

• 申請號: 201310085158.9
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103208454A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 白英英;張守龍;張冬芳;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/3105
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體襯底，并在所述半導體襯底上覆蓋第一氧化層；

進行曝光與刻蝕工藝，以在所述第一氧化層與半導體襯底中形成第一淺溝道隔離凹槽；

沉積第一隔離層，所述第一隔離層填滿所述第一淺溝道隔離凹槽；

進行第一次平坦化，對所述第一隔離層實施平坦化處理并且不露出第一氧化層；

進行濕法刻蝕，去除剩余的第一隔離層與所述第一氧化層；

在所述半導體襯底上依次覆蓋第二氧化層和氮化層；

進行曝光與刻蝕工藝，刻蝕部分所述氮化層，以形成第二淺溝道隔離凹槽，所述第二淺溝道隔離凹槽與所述第一淺溝道隔離凹槽一一對應且相互對準；

沉積第二隔離層；

進行第二次平坦化，對所述第二隔離層實施平坦化處理，形成淺溝道隔離。

2.如權利要求1所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述第一氧化層和第二氧化層的材質為氧化硅，所述氮化層的材質為氮化硅。

3.如權利要求1所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述第一隔離層和第二隔離層的材質為氧化硅。

4.如權利要求3所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述第一隔離層和第二隔離層采用化學氣相沉積法形成。

5.如權利要求1所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在進行第一次平坦化和第二次平坦化的步驟中，均采用化學機械研磨法。

6.如權利要求1所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在進行第一次平坦化之后，所述第一氧化層上剩余的第一隔離層厚度為50埃～600埃。

7.如權利要求1至6中任意一項所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在形成第二淺溝道隔離凹槽的步驟和形成第一淺溝槽隔離凹槽的步驟中，使用相同的掩模板進行曝光。

8.如權利要求1至6中任意一項所述的實現淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在所述半導體襯底上沉積第二隔離層的步驟之前還包括，采用濕法刻蝕擴大所述第二淺溝道隔離凹槽的寬度。