[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310084788.4
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號(hào): CN103151701A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高松信
• 申請（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所
• 主分類號(hào): H01S5/022
• 分類號(hào): H01S5/022;H01S5/024
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 卿誠;吳彥峰

1.一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法，其特征是包括如下步驟：

a.?在微通道冷卻器（6）上制備絕緣薄膜（5）；

b.?在絕緣薄膜（5）上制備焊料（4）；

c.?使用夾具裝配固定半導(dǎo)體芯片（3）和微通道冷卻器（6）；

d.將半導(dǎo)體芯片（3）焊接在絕緣薄膜（5）上；

e.壓焊電極引線。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法，其特征是：所述絕緣薄膜（5）的厚度為1nm-500nm；所述絕緣薄膜（5）為金屬氧化物薄膜。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法，其特征是：所述步驟c中的夾具包括一個(gè)壓塊（1），一個(gè)壓條（2）和一個(gè)底座（7）；所述壓塊（1）重量為5-500克；所述壓條（2）尺寸與半導(dǎo)體芯片（3）尺寸相等，壓條（2）厚度大于0.5毫米，壓條（2）材質(zhì)為玻璃；所述步驟c的裝配方法為：微通道冷卻器置（6）于底座（7）上，半導(dǎo)體芯片（3）放置在微通道冷卻器（6）的焊料（4）上，將壓條（2）放置在半導(dǎo)體芯片（3）上，最后將壓塊（1）放置在壓條（2）上。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法，其特征是：所述步驟d中，焊接半導(dǎo)體芯片（3）的過程包含升溫過程和降溫過程，升溫過程的升溫速率為0.1-50K/s，降溫過程的降溫速率為0.3-30K/s。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體激光器線陣的封裝方法，其特征是：所述步驟b的焊料（4）制備方法為蒸發(fā)鍍膜法。