[發(fā)明專(zhuān)利]高頻放大器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310084706.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-03-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103312277B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 竹中功 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03F3/189 | 分類(lèi)號(hào)： | H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人： | 陳偉 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高頻放大器 | ||
1.一種高頻放大器，其特征在于，包括：
第1晶體管，其源極接地；
第2晶體管，其與所述第1晶體管構(gòu)成柵地-陰地放大器電路；
串聯(lián)電路，其連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間，且第1電阻元件及串聯(lián)共振電路串聯(lián)連接；以及
第2電阻元件，其與所述串聯(lián)電路并聯(lián)連接，
所述串聯(lián)共振電路由LC電路構(gòu)成，
所述串聯(lián)電路在LC元件之間含有所述第1電阻元件，
所述高頻放大器還含有各LC元件的值不同的多個(gè)所述串聯(lián)電路，各個(gè)所述串聯(lián)電路連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間，
使多個(gè)所述串聯(lián)電路所包含的所述第1電阻元件各自的電阻值為所述第2電阻元件各自的電阻值以下，且多個(gè)所述串聯(lián)電路所包含的所述第1電阻元件各自的電阻值互不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，
在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導(dǎo)為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≦R2＜30/gm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，
所述串聯(lián)電路在接地側(cè)含有所述第1電阻元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，
所述第1晶體管是GaAsMESFET或者GaAs異質(zhì)結(jié)FET，所述第2晶體管是GaNFET。
5.一種半導(dǎo)體器件，具有權(quán)利要求1或2所述的高頻放大器。
6.一種具有權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的電路系統(tǒng)，構(gòu)成為具有兩個(gè)所述半導(dǎo)體器件，且使兩個(gè)所述半導(dǎo)體器件推挽工作。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于瑞薩電子株式會(huì)社，未經(jīng)瑞薩電子株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310084706.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
