[發(fā)明專利]濕法刻蝕機(jī)臺裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310084491.8 | 申請日： | 2013-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN103219232A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃耀東;張明華;李芳;劉文燕;嚴(yán)鈞華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濕法 刻蝕 機(jī)臺 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種濕法刻蝕機(jī)臺裝置，包括放置晶圓的平臺，其特征在于，在所述平臺上方設(shè)置有多個噴嘴，每個噴嘴連接加熱元件和流量調(diào)節(jié)元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕機(jī)臺裝置，其特征在于，所述多個噴嘴呈直線型分布在可旋轉(zhuǎn)平臺上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕機(jī)臺裝置，其特征在于，所述多個噴嘴均勻分布在所述平臺上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕機(jī)臺裝置，其特征在于，所述多個噴嘴隨機(jī)分布在所述平臺上方。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
