[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310084448.1
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN104051650A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及電致發光技術領域，特別是涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件(OLED)具有一些獨特的優點：(1)OLED屬于擴散型面光源，不需要像發光二極管（LED）一樣通過額外的導光系統來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機發光材料的多樣性，OLED照明可根據需要設計所需顏色的光，目前無論是小分子OLED，還是聚合物有機發光二極管（PLED）都已獲得了包含白光光譜在內的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設計照明光源時更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時顯示信息；(5)OLED在照明系統中還可被用作可控色，允許使用者根據個人需要調節燈光氛圍。

然而，目前的有機電致發光器件的發光效率較低，難以滿足使用需求。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、4-聯苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一客體材料為乙酸鋰、乙酸鈉、乙酸鉀、乙酸銣或乙酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。

在其中一個實施例中，所述第一客體材料與所述主體材料的質量比為3:100～15:100。

在其中一個實施例中，所述第二客體材料與所述主體材料的質量比為25:100～35:100。

在其中一個實施例中，所述電子注入層的厚度為10～30納米。

在其中一個實施例中，所述空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩或三氧化錸；所述空穴傳輸材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）聯苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺或1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷；

所述空穴傳輸層由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）聯苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺或1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷形成；

所述發光層由發光客體材料摻雜于發光主體材料中形成，所述發光客體材料為雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥）、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、三（2-（4',6'-二氟-5’-氰基）苯基吡啶-N,C2'）合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶)-（3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-三唑）合銥或雙(4,6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥；所述發光主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯苯、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑）、2,6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3,5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶或1,4--雙(三苯基硅)苯；

所述電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、4-聯苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯形成；

所述陰極由銀、鋁或金形成。

在其中一個實施例中，所述金屬氧化物占所述空穴注入層的質量百分比為25～35%；

所述發光客體材料與所述發光主體材料的質量比為5:100～20:100。

在其中一個實施例中，所述空穴注入層的厚度為10～15納米，所述空穴傳輸層的厚度為30～50納米，所述發光層的厚度為5～15納米，所述電子傳輸層的厚度為10～60納米，所述陰極的厚度為50～200納米。