[發明專利]基板、半導體結構以及其相關制造方法

在審

• 申請號: 201310084412.3
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103915392A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 黃田昊;李信賢;吳奕均;吳上義
• 申請（專利權）人: 聯京光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L33/48
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

技術領域

本發明有關于一種用來承載晶粒的基板，更明確地說，是有關于一種具有黏膠導流圖案的基板，以容置、導流黏膠并通過黏膠黏著晶粒。

背景技術

請參考圖1，圖1說明先前技術的半導體結構的制作流程圖。半導體結構100包括一晶粒110以及一基板120。晶粒110與基板120的結合需要通過黏膠g。也就是說，晶粒110需要借由黏膠g來附著于基板120上。更明確地說，基板120會先涂上一層黏膠9，然后將晶粒110置于該黏膠9上并施壓，如此以將晶粒110固定于該基板120上以形成半導體結構100。由于黏膠g為液體狀，因此當黏膠g受到晶粒110與基板120的壓迫時，黏膠g會沿著基板120從中央往外側延展。然而，如此一來便會產生兩種情況:

1.如圖1右上方所示，當黏膠g的量太少時，由于黏膠g在經施壓后延展為圓形而晶粒110為方形，因此晶粒110的角落便無法與黏膠g接觸而降低晶粒110附著于基板120的穩定度;

2.如圖1右下方所示，當黏膠g的量太多時，雖然晶粒110的角落可以與黏膠g接觸，但是多余的黏膠g會在經過施壓后溢出至晶粒110的周圍，而造成光線的阻礙。舉例來說，若晶粒110是屬于正面與側面皆會發光的發光二極管，則發光二極管從側面所發出的光便會被黏膠g遮蔽住，而降低發光二極管的光利用率。

也就是說，由于黏膠g的量無法很準確地設定，意即容易過多或過少，如此便可能發生晶粒110無法有效附著于基板120上或在晶粒110的側面形成黏膠g，而造成制造者的困擾。

發明內容

本友明提供一種基板，該基板包括一晶粒承載區及一黏膠導流圖案，該晶粒承載區用于承載一晶粒，而黏膠導流圖案是設置于晶粒承載區，黏膠導流圖案具有將多余黏膠導流之作用，避免黏膠溢流到晶粒的側邊。其中該晶粒是設置在該圖形化黏膠導流圖案的上方，該晶粒的一底面的面積是大于該圖形化黏膠導流圖案與該晶粒接觸的面積，且該晶粒是借由黏膠而附著于基板上。

本發明另提供一種半導體結構，該半導體結構包括如上述的基板、一發光二極管、及一透明膠體。晶粒設置于基板的晶粒承載區，且晶粒例如為發光二極管。其中，透明膠體是設置于基板的晶粒承載區，用來覆蓋發光二極管以導引發光二極管所發出的光線。

本發明另提供一種半導體結構的制造方法，制造方法包括以下步驟:

(a)提供一基板;

(b)于基板設置一晶粒承載區，用于承載一晶粒;

(c)于晶粒承載區設置一黏膠導流圖案;

(d)于該晶粒承載區設置一黏膠;以及

(e)將晶粒放置于該基板之晶粒承載區上方，并對晶粒施壓以使晶粒通過黏膠附著于基板;

其中，于(e)步驟中，當對該晶粒施壓時，該黏膠順著該黏膠導流圖案之導流與容置空間分布于該晶粒之背面。

為讓本發明的上述目的、特征和優點更能明顯易懂，下文將以實施例并配合所附圖示，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1說明先前技術的半導休結構的制作流程圖。

圖2說明本發明的一實施例的半導休結構的制作流程圖。

圖3說明本發明的一實施例的基板的示意圖。

圖4說明本發明的一實施例的晶粒承載區的示意圖。

圖5說明本發明的一第一實施例的黏膠導流圖案的示意圖。

圖6說明本發明的一實施例將黏膠注入黏膠導流圖案的示意圖。

圖7說明本發明的一實施例將晶粒設置在黏膠導流圖案上的示意圖。

圖8說明本發明的一實施例在基板上設置透明膠體的示意圖。

圖9A、圖9B說明本發明的一第二實施例之黏膠導流圖案的示意圖。

圖10說明本發明的一第三實施例之黏膠導流圖案的示意圖。

具體實施方式

請參考圖2，圖2說明本發明的一實施例的半導體結構的制作方法的流程圖，該制作方法的步驟說明如下:

步驟S1:提供一基板;

步驟S2:于該基板設置一晶粒承載區，并根據該晶粒承載區設置一黏膠導流圖案;

步驟S3:在該晶粒承載區置入黏膠;

步驟S4:將晶粒置放于該晶粒承載區置上;

步驟S5:對晶粒施壓以使晶粒通過黏膠附著于基板;

步驟S6:將晶粒與基板上的線路層電性連接。

其中，在步驟S5中，當對晶粒施壓時，該黏膠順著黏膠導流圖案分布于晶粒之背面，而不會流至該晶粒之側邊。