[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310084228.9
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN104051646A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光輻射。

OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。

然而，OLED中的發(fā)光層對于大氣中的污染物、氧氣、水汽等十分敏感，在污染物、氧氣及水汽等的作用下發(fā)生化學反應會導致發(fā)光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導致OLED的穩(wěn)定性較差，使用壽命較短。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發(fā)光器件及其封裝方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，還包括層疊于所述陰極上的5～7個保護層，每個保護層包括有機阻擋層及層疊于所述有機阻擋層上的無機阻擋層；其中，所述有機阻擋層由酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲形成，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成。

在其中一個實施例中，所述氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種占所述無機阻擋層的質(zhì)量分數(shù)為10～30%。

在其中一個實施例中，所述有機阻擋層的厚度為200納米～300納米。

在其中一個實施例中，所述無機阻擋層的厚度為100納米～200納米。

一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟：

步驟一：提供陽極，采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層；

步驟二：采用真空蒸鍍在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層；

步驟三：采用真空蒸鍍在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；

步驟四：采用真空蒸鍍在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層；

步驟五：采用真空蒸鍍在所述電子傳輸層上形成電子注入層；

步驟六：采用真空蒸鍍在所述電子注入層上陰極；

步驟七：采用真空蒸鍍在所述陰極上形成有機阻擋層，所述有機阻擋層由酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲形成；

步驟八：采用真空蒸鍍在所述有機阻擋層上形成無機阻擋層，所述無機阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，所述有機阻擋層和無機阻擋層形成一個保護層；

步驟九：交替重復所述步驟七和所述步驟八4至6次，在所述陰極上形成5～7個保護層，得到有機電致發(fā)光器件。

在其中一個實施例中，所述步驟七～步驟九中，真空蒸鍍的真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa。

在其中一個實施例中，所述步驟七～步驟九中，蒸發(fā)速度為

在其中一個實施例中，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前，還包括對陽極的清洗步驟，所述清洗步驟為：將所述陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，再用烘箱烘干。

在其中一個實施例中，所述清洗步驟完成之后，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前還包括對所述陽極進行表面活化處理的步驟，所述活化處理的步驟為：采用紫外-臭氧對清洗干燥后的陽極進行處理30～50分鐘。