[發明專利]固態拍攝裝置以及方法無效
| 申請號: | 201310084204.3 | 申請日: | 2013-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN103545327A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 佐藤英史 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 陳海紅;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 拍攝 裝置 以及 方法 | ||
1.一種固態拍攝裝置,其特征在于,包括:
半導體層,其具有設置有多個光電二極管的像素區域和提供用于對從像素產生的信號進行處理的周邊電路的周邊電路區域;
電源線,為了向所述周邊電路供給電源,該電源線設置于所述周邊電路區域的所述半導體層的第1主面;
第1布線層,為了向所述電源線供給所述電源,該第1布線層設置于所述周邊電路區域的所述半導體層的第2主面;和
多個第1貫通電極,其設置于所述周邊電路區域,貫通所述第1主面與所述第2主面之間的所述半導體層;
所述第1貫通電極的至少一部分將所述電源線與所述第1布線層之間電連接。
2.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述第1貫通電極以預定間隔配置于所述周邊電路區域。
3.根據權利要求2所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述第1貫通電極的至少1個在所述第1主面上電連接于所述電源線,在所述第2主面上從所述第1布線層電絕緣。
4.根據權利要求3所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述第1貫通電極在所述第1主面上電連接于所述電源線,在所述第2主面上從構成電容或電感的所述第1布線層電絕緣。
5.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
將所述電源線與所述第1布線層之間電連接的所述第1貫通電極被配置成向所述周邊電路供給的所述電源的電位在所述周邊區域整體為一定。
6.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述第1布線層以至少覆蓋所述周邊電路區域的方式形成為平面形狀。
7.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述周邊電路區域包括設置有模擬電路的模擬電路區域和設置有邏輯電路的邏輯電路區域,
將所述電源線與所述第1布線層之間電連接的所述第1貫通電極設置于所述模擬電路區域和所述邏輯電路區域雙方。
8.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
進一步包括設置于所述第2主面以及所述周邊電路區域的外側的電源焊盤,
所述電源焊盤從外側接受所述電源,向所述第1布線層供給所述接受的電源。
9.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于,進一步包括:
第1以及第2信號線,其設置于所述周邊電路區域的所述半導體層的所述第1主面,供給處理信號;
第2布線層,其設置于所述周邊電路區域的所述半導體層的所述第2主面;和
第3以及第4貫通電極,其設置于所述周邊電路區域,貫通所述第1主面與所述第2主面之間的所述半導體層;
所述第3貫通電極將所述第1信號線與所述2布線層電連接,所述第4貫通電極將所述第2信號線與所述第2布線層電連接。
10.根據權利要求1所述的固態拍攝裝置,其特征在于:
所述第2主面為所述光電二極管的光照射側。
11.一種向固態拍攝裝置的周邊電路供給電源的方法,該固態拍攝裝置包括半導體層,該半導體層具有:設置有多個光電二極管的像素區域,和設有用于對從所述像素產生的信號進行處理的所述周邊電路的周邊電路區域;該方法的特征在于,包括如下步驟:
從所述半導體層的第1主面向所述周邊電路供給電源;
從所述半導體層的第2主面經由設置于所述周邊電路區域的多個貫通電極,向所述半導體層的所述第1主面供給電源;和
在所述半導體層的所述第2主面,從所述周邊電路區域的外側向所述周邊電路區域供給所述電源。
12.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,進一步包括如下步驟:
在所述半導體層的所述第2主面,經由設置于所述周邊電路區域的外側的貫通電極,從所述周邊電路區域外向所述周邊電路供給電源。
13.根據權利要求11所述的方法,其特征在于:
所述電源以向所述周邊電路供給的所述電源的電位在所述周邊區域上為一定的方式供給。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





