[發明專利]圖案化的線端空間

有效

• 申請號: 201310084128.6
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103915373A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 李佳穎;謝志宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

技術領域

本發明涉及半導體領域，更具體地，本發明涉及一種圖案化的線端空間。

背景技術

半導體器件通常與一行或多個行的金屬線相關。例如，第一金屬線行和第二金屬線行之間的距離與連續運行空間(run-to-run?space)相關。又例如，一行的一條金屬線和同一行中的另一條金屬線之間的距離與端到端空間相關。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種用于形成線端空間結構的方法，包括：基于第一圖案化的第一光刻膠(PR)區域形成與第一圖案位置相關的第一圖案化的第二硬掩模(HM)區域；在所述第一圖案化的第二HM區域或第一HM區域中的至少一個的至少一些之上形成第一犧牲HM區域；在至少一些所述第一犧牲HM區域之上形成第二犧牲HM區域；在至少一些所述第二犧牲HM區域之上形成第一圖案化的第二PR區域或第二圖案化的第二PR區域中的至少一個，所述第一圖案化的第二PR區域與第一線位置相關，所述第二圖案化的第二PR區域與第二線位置相關；在所述第一圖案化的第二PR區域、所述第二圖案化的第二PR區域或所述第二犧牲HM區域中的至少一個的至少一些之上形成隔離件區域；以及去除至少一些所述第一圖案化的第二HM區域。

在所述方法中，包括：在至少一些第二HM區域之上形成第一PR區域；以及圖案化所述第一PR區域，以形成所述第一圖案化的第一PR區域。

在所述方法中，包括：基于旋轉涂布來形成所述第一PR區域。

在所述方法中，包括：形成所述第一犧牲HM區域來圍繞至少一些所述第一圖案化的第二HM區域。

在所述方法中，形成所述第一圖案化的第二PR區域或所述第二圖案化的第二PR區域中的至少一個包括：在至少一些所述第二犧牲HM區域之上形成第二PR區域；以及圖案化所述第二PR區域，以形成所述第一圖案化的第二PR區域或所述第二圖案化的第二PR區域中的至少一個。

在所述方法中，包括：基于旋轉涂布形成所述第二PR區域。

在所述方法中，包括：基于沉積形成所述隔離件區域。

在所述方法中，包括：去除至少一些與第三線位置相關的所述隔離件區域，所述第三線位置處在所述第一圖案化的第二PR區域和所述第二圖案化的第二PR區域之間。

在所述方法中，包括：基于各向異性蝕刻去除至少一些所述第一圖案化的第二HM區域。

在所述方法中，包括：去除至少一些與所述第一HM區域不相關的基礎區域。

在所述方法中，包括：將所述第一圖案化的第一PR區域形成為具有與大于金屬線的寬度的距離相關的寬度和與線端空間結構的端到端(EE)空間相關的長度。

在所述方法中，包括：基于旋轉涂布、化學汽相沉積(CVD)、等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD)中的至少一種來形成所述第一犧牲HM區域或所述第二犧牲HM區域中的至少一個。

在所述方法中，包括：基于化學汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD)中的至少一種來形成所述第一HM區域或所述第二HM區域中的至少一個。

在所述方法中，包括：基于化學汽相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)中的至少一種來形成所述隔離件區域。

根據本發明的另一方面，提供了一種用于形成線端空間結構的方法，包括：圖案化第一光刻膠(PR)區域，以形成與第一圖案位置相關的第一圖案化的第一PR區域；基于所述第一圖案化的第一PR區域形成與所述第一圖案位置相關的第一圖案化的第二硬掩模(HM)區域；在所述第一圖案化的第二HM區域或第一HM區域中的至少一個的至少一些之上形成第一犧牲HM區域；在至少一些所述第一犧牲HM區域之上形成第二犧牲HM區域；在至少一些所述第二犧牲HM區域之上形成第二PR區域；圖案化所述第二PR區域；在圖案化的第二PR區域或所述第二犧牲HM區域中的至少一個的至少一些之上形成隔離件區域；以及去除至少一些所述第一圖案化的第二HM區域。

在所述方法中，包括：在與所述第一HM區域不相關的基礎區域的一個或多個部分之內形成一條或多條金屬線。

在所述方法中，包括：在第一線端空間的第一側上形成第一金屬線；以及在所述第一線端空間的第二側上形成第二金屬線。

在所述方法中，包括：基于旋轉涂布形成所述第一PR區域。

在所述方法中，包括：基于沉積形成所述隔離件區域。