[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310083762.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-03-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103579146A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高尾和人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/48 | 分類號(hào)： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 張偉;王英 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
第一開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件包括第一控制端子、第一電極端子以及第一導(dǎo)體端子；
第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件包括第二控制端子、第二電極端子以及第二導(dǎo)體端子；
第一互連線路，所述第一互連線路包括第一端子間互連線路、第二端子間互連線路、第三端子間互連線路以及第四端子間互連線路，所述第一端子間互連線路包括第一電感，所述第一端子間互連線路的第一端與所述第一控制端子相連，所述第二端子間互連線路包括第二電感，所述第二電感與所述第一電感不同，所述第二端子間互連線路的第一端與所述第二控制端子相連，所述第二端子間互連線路的第二端與所述第一端子間互連線路的第二端相連，所述第三端子間互連線路包括第三電感，所述第三端子間互連線路的第一端與所述第一電極端子相連，并且所述第四端子間互連線路包括第四電感，所述第四電感與所述第三電感不同，所述第四端子間互連線路的第一端與所述第二電極端子相連，所述第四端子間互連線路的第二端與所述第三端子間互連線路的第二端相連；
第一電阻器，所述第一電阻器的第一端與所述第一控制端子相連；
第二電阻器，所述第二電阻器的第一端與所述第二控制端子相連，所述第二電阻器的第二端與所述第一電阻器的第二端相連；以及
第二互連線路，所述第二互連線路被設(shè)置在所述第一電極端子和所述第二電極端子之間和/或在所述第一控制端子和所述第二控制端子之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第一基板，所述第一開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件被安裝在所述第一基板上，并且
所述第二互連線路包括設(shè)置在所述第一基板上的互連線路圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二互連線路包括焊線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一電阻器被設(shè)置在所述第一端子間互連線路的所述第一端和所述第二端之間，并且
所述第二電阻器被設(shè)置在所述第二端子間互連線路的所述第一端和所述第二端之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一開關(guān)元件是IGBT，并且
所述第二開關(guān)元件是IGBT。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一開關(guān)元件包括多個(gè)并聯(lián)連接的IGBT，并且
所述第二開關(guān)元件包括多個(gè)并聯(lián)連接的IGBT。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一開關(guān)元件是MOSFET，并且
所述第二開關(guān)元件是MOSFET。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一開關(guān)元件包括多個(gè)并聯(lián)連接的MOSFET，并且
所述第二開關(guān)元件包括多個(gè)并聯(lián)連接的MOSFET。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：所述第一電阻器是控制所述第一開關(guān)元件的開關(guān)速度的元件，并且
所述第二電阻器是控制所述第二開關(guān)元件的開關(guān)速度的元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
設(shè)置在所述第一基板上的第一互連線路圖案；
設(shè)置在所述第一基板上的第二互連線路圖案；以及
設(shè)置在所述第一基板上的第三互連線路圖案，其中
所述第一互連線路圖案與所述第一電極端子和所述第二電極端子相連，
所述第二互連線路圖案與所述第一導(dǎo)體端子和所述第二導(dǎo)體端子相連，并且
所述第三互連線路圖案與所述第一控制端子和所述第二控制端子相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一互連線路圖案被形成為圍繞所述第二互連線路圖案的外側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一互連線路圖案沿所述第一基板的外圍形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：設(shè)置在所述第一電極端子和所述第一互連線路圖案之間同時(shí)還設(shè)置在所述第二電極端子和所述第一互連線路圖案之間的第一焊線，并且
所述第二互連線路包括所述第一焊線和所述第一互連線路圖案。
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