[發明專利]一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置

無效

• 申請號: 201310083244.6
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103160924A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 駱新江
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C30B28/04
• 分類號: C30B28/04;C30B29/40
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

技術領域??????????

本發明屬于半導體材料制備領域，涉及一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置。

背景技術

????在制備?InP?單晶之前,必須先把符合一定純度要求的?In?和?P?合成為化合物InP多晶,在此基礎上才能進一步制備?InP?單晶。快速有效地進行?InP?多晶的合成是降低生產成本，提高生產效率的重要途徑,同時也是制備高質量?InP?單晶的前提。傳統合成?InP?多晶料的方法有:水平布里奇曼法(HB)，水平溫度梯度凝固法(HGF)，溶質擴散合成技術(SSD)等。這些方法的缺點是合成時間長，合成效率低，且在制備單晶時需分步驟進行，即首先在特制容器內合成InP多晶，然后將其裝入單晶爐內進行拉晶。因此這些傳統方法會帶來二次污染，造成單晶質量嚴重下降。?

發明內容???

????本發明針對現有技術的不足，提出了一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置。

本發明一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置,包括一個大圓柱體容器、一個小圓柱型裝卸口和多根導氣管,所述的大圓柱體容器頂部設有小圓柱型裝卸料口，底部對稱分布著多根導氣管；所述多根導氣管對稱分布于以大圓柱體容器下底面的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長度為半徑的圓周上；多根導氣管垂直貫穿大圓柱體容器下底面，即分為容器內部的內管和容器外部的外管；所述導氣管內管末端封閉，上部設有多個導氣小孔；所述導氣管外管末端開放，下部設有多個導氣小孔。

所述的導氣管直徑為大圓柱體容器底面直徑的1/10～1/6。

所述的導氣管內管高度為大圓柱體容器高度的1/2～3/4。所述的大圓柱體容器上下底部邊緣采用倒圓角。

所述的小圓柱型裝卸口外側有螺紋。

所述的大圓柱體容器、小圓柱型裝卸口和多根導氣管都是由石英玻璃制成的。

本發明相對于現有技術具有如下優點和效果：

1、本發明對稱分布的多根根導氣管的外管上設置有若干個通氣小孔，可以提高磷蒸汽同銦熔體的接觸面積和接觸均勻性，從而大大提高了合成磷化銦的速率和均勻性，非常適合工業化生產。

2、本發明對稱分布的多根導氣管上設置有若干個通氣小孔，更有利于容器內的磷蒸汽順利排出，避免炸泡和磷殘留較多等問題。

3、本發明配合磷注入法液封直拉技術可以減少二次污染，減低缺陷，提高磷化銦的純度。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖2為大圓柱體容器底部俯視圖。

具體實施方式

如圖1、圖2所示，本發明一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置,包括一個大圓柱體容器2、一個小圓柱型裝卸口1和三根導氣管4,所述的大圓柱體容器2頂部設有小圓柱型裝卸料口1，小圓柱型裝卸口外側有螺紋，大圓柱體容器底部對稱分布著三根導氣管；所述三根導氣管4對稱分布于以大圓柱體容器下底面的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長度為半徑的圓周上；三根導氣管垂直貫穿大圓柱體容器下底面，即分為容器內部的內管和容器外部的外管；所述導氣管內管末端封閉，上部設有多個導氣小孔3；所述導氣管外管末端開放，下部設有多個導氣小孔3，導氣管直徑為大圓柱體容器底面直徑的1/10～1/6，導氣管內管高度為大圓柱體容器高度的1/2～3/4。所述的大圓柱體容器上下底部邊緣采用倒圓角，所述的大圓柱體容器、小圓柱型裝卸口和三根導氣管都是由石英玻璃制成的。

本發明的工作過程：固體磷從小圓柱型裝卸口1裝入，將小圓柱型裝卸口密封受熱，磷蒸汽由容器內部的內管導氣小孔3，通過導氣管4，由容器外部的外管導氣小孔3導出。