[發明專利]純鋁靶的制造方法

無效

• 申請號: 201310083147.7
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN104046931A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 洪胤庭;邱軍浩;黃宏勝
• 申請（專利權）人: 中國鋼鐵股份有限公司
• 主分類號: C22F1/04
• 分類號: C22F1/04;C21D8/02;C23C14/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐晶;權陸軍

1.一種純鋁靶的制造方法，包括：

進行第一降溫步驟，包括將鋁錠放入液態氮中，使該鋁錠的溫度為0℃至-70℃，其中該鋁錠的純度介于99.99%至99.999%；

進行至少一個第一壓延步驟，使該鋁錠形成具有第一厚度的第一鋁板，其中該第一厚度為50mm至150mm，且該第一鋁板的溫度為0℃至60℃；

進行第二降溫步驟，包括將該第一鋁板放入該液態氮中，使該第一鋁板的溫度為0℃至-70℃；

進行至少一個第二壓延步驟，使該第一鋁板形成具有第二厚度的第二鋁板，其中該第二厚度為20mm至50mm，且該第二鋁板的溫度為40℃至70℃；

進行第三降溫步驟，使該第二鋁板的溫度為20℃至30℃；

進行熱處理步驟，包括于大氣或保護性氣體中，在100℃至350℃的溫度下，處理該第二鋁板，以形成第一鋁靶；以及

進行第四降溫步驟，用以降溫該第一鋁靶，以形成該純鋁靶，其中該純鋁靶的一次再結晶的晶粒尺寸為30微米至50微米，且該純鋁靶具有{100}<001>立方集合組織。

2.如權利要求1所述的純鋁靶的制造方法，其中該第三降溫步驟利用液態氮或水進行。

3.如權利要求2所述的純鋁靶的制造方法，其中該水的溫度為5℃至35℃。

4.如權利要求1所述的純鋁靶的制造方法，其中該熱處理步驟為處理該第二鋁板0.5小時至3小時。

5.如權利要求1所述的純鋁靶的制造方法，其中該第四降溫步驟利用氣體、水或液態氮進行。

6.如權利要求5所述的純鋁靶的制造方法，其中該氣體為氮氣、氬氣或大氣。

7.如權利要求5所述的純鋁靶的制造方法，其中該水的溫度為5℃至35℃。

8.一種純鋁靶，其利用如權利要求1至權利要求7中任一項所述的方法制得。

9.一種濺鍍方法，其利用如權利要求8所述的純鋁靶進行濺鍍，其中該純鋁靶的濺鍍速率為33.8埃/秒至34.5埃/秒。