[發明專利]信號處理裝置、液晶裝置、電子設備以及信號處理方法有效
| 申請號： | 201310082926.5 | 申請日： | 2013-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN103310750B | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發明（設計）人： | 北川拓;保坂宏行;飯坂英仁 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | G09G3/36 | 分類號： | G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所11247 | 代理人： | 萬利軍,陳海紅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 信號 處理 裝置 液晶 電子設備 以及 方法 | ||
1.一種信號處理裝置，其特征在于，
用于具備多個像素的液晶裝置中，
所述信號處理裝置具備：
檢測部，其基于控制對所述多個像素的各個施加的電壓的信號，檢測第1像素與第2像素的邊界，該第1像素與施加比第1基準電壓低的第1電壓的第1信號對應，該第2像素與施加比第2基準電壓高的第2電壓的第2信號對應；和
校正部，其在所述第1電壓比低于所述第1基準電壓的第3基準電壓低的情況下，將與所述第1像素對應的所述第1信號校正成第3信號，該第3信號施加比所述第1電壓高且比所述第2電壓低的第3電壓，
所述第2基準電壓比所述第1基準電壓高，
所述第3電壓，在所述第2電壓低時和所述第2電壓高時，電壓不同。
2.根據權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述第3電壓，在所述第2電壓高時比在所述第2電壓低時高。
3.根據權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述第3基準電壓，在所述第2電壓高時比在所述第2電壓低時高。
4.根據權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述校正部，與校正所述第1像素同樣地校正與相鄰于所述第1像素的第3像素對應的信號，
所述第1像素配置在所述第3像素與所述第2像素之間。
5.根據權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述校正部，將與所述第2像素對應的所述第2信號，校正成施加比所述第2電壓低且比所述第3電壓高的第4電壓的第4信號，
所述第4電壓，在所述第1電壓高時比在所述第1電壓低時高。
6.根據權利要求5所述的信號處理裝置，其特征在于，
在所述第2電壓比高于所述第2基準電壓的第4基準電壓高的情況下，將與所述第2像素對應的所述第2電壓校正成所述第4電壓。
7.根據權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述校正部，與校正所述第2像素同樣地校正與相鄰于所述第2像素的第4像素對應的信號，
所述第2像素配置在所述第1像素與所述第4像素之間。
8.一種液晶裝置，其特征在于，
具備權利要求1所述的信號處理裝置。
9.一種電子設備，其特征在于，
具備權利要求8所述的液晶裝置。
10.一種信號處理裝置，其特征在于，
用于具備多個像素的液晶裝置中，
所述信號處理裝置具備：
檢測部，其基于控制對所述多個像素的各個施加的電壓的信號，檢測第1像素與第2像素的邊界，該第1像素與施加比第1基準電壓低的第1電壓的第1信號對應，該第2像素與施加比第2基準電壓高的第2電壓的第2信號對應；和
校正部，其在所述第1電壓比低于所述第1基準電壓的第3基準電壓低的情況下，將與所述第1像素對應的所述第1信號校正成第3信號，該第3信號施加比所述第1電壓高且比與所述第2像素對應的所述第2電壓低的第3電壓，
所述第2基準電壓比所述第1基準電壓高，
所述第3電壓，在所述第1電壓與第2電壓的差值大時比在所述差值小時高。
11.根據權利要求10所述的信號處理裝置，其特征在于，
所述校正部，還將與所述第2像素對應的所述第2信號校正成第4信號，該第4信號施加比所述第2電壓低且比與所述第1像素對應的所述第1電壓高的第4電壓，
所述第4電壓，在所述第1電壓與第2電壓的差值大時比在所述差值小時低。
12.一種液晶裝置，其特征在于，
具備權利要求10所述的信號處理裝置。
13.一種電子設備，其特征在于，
具備權利要求12所述的液晶裝置。
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