[發明專利]一種倒裝LED芯片及其制造方法

無效

• 申請號: 201310082467.0
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN103208570A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 武樂可
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種倒裝LED芯片的制造方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底的正面形成倒裝LED結構；

刻蝕所述襯底的背面以形成圖形化襯底；

對所述圖形化襯底進行粗化工藝，以使所述圖形化襯底的背面為粗糙表面。

2.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，對所述圖形化襯底進行粗化工藝的步驟包括：

在所述圖形化襯底的背面形成金屬層；

對所述金屬層進行退火工藝，形成圖形化的金屬層；

以所述圖形化的金屬層為掩膜，對所述圖形化襯底進行刻蝕工藝，以使所述圖形化襯底的背面為粗糙表面；

去除所述圖形化的金屬層。

3.如權利要求2所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，所述金屬層的材質為Ag、Ti或Ni。

4.如權利要求2所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為100nm-10000nm。

5.如權利要求2所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，對所述金屬層進行退火工藝是在N2、O2或空氣氛圍中進行的，退火工藝的溫度為400℃-700℃。

6.如權利要求2所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，對所述圖形化襯底進行的刻蝕工藝為ICP刻蝕工藝。

7.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述襯底的正面形成倒裝LED結構的步驟包括：

在所述襯底上依次形成N型半導體層、多量子阱有源層和P型半導體層；

刻蝕所述N型半導體層、多量子阱有源層和P型半導體層，以形成暴露出所述N型半導體層的開口；

在所述開口中形成N型電極層，在所述P型半導體層上形成P型反射電極層；

在所述N型電極層和P型反射電極層部分表面形成絕緣層。

8.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述襯底的正面形成倒裝LED結構之后，刻蝕所述襯底的背面以形成圖形化襯底之前，還包括對所述襯底進行減薄的步驟。

9.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括圖形化襯底以及形成于所述圖形化襯底正面的倒裝LED結構，所述圖形化襯底的背面為粗糙表面。

10.如權利要求9所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED結構包括：

依次形成于所述圖形化襯底正面的N型半導體層、多量子阱有源層和P型半導體層；

形成于多量子阱有源層和P型半導體層中的暴露出所述N型半導體層的開口；

形成于所述開口中的N型電極層，形成于所述P型半導體層上的P型反射電極層；以及、

形成于所述N型電極層和P型反射電極層部分表面的絕緣層。

11.如權利要求9所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述圖形化襯底的圖形均勻排布在所述圖形化襯底的背面。

12.如權利要求9所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述圖形化襯底的材質為藍寶石。