[發明專利]TEM樣品的制備方法有效
| 申請號： | 201310082083.9 | 申請日： | 2013-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN103196718A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 王炯翀 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TEM樣品的制備方法，應用于具有銅籽晶結構的襯底上，所述銅籽晶結構包括溝槽，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、于所述襯底的上表面沉積第一涂層，且該第一涂層充滿所述溝槽；
步驟S2、切割所述第一涂層至所述襯底的下表面，形成具有第一橫截面的第一樣品結構；
步驟S3、制備第二涂層覆蓋所述第一橫截面的表面；
步驟S4、切割所述第一樣品結構上剩余的第一涂層至剩余的襯底的下表面，形成具有目標橫截面的第二樣品結構，且該第二樣品結構包括覆蓋有第二涂層的第一橫截面；
步驟S5、切割所述第二涂層至位于所述第一橫截面表面的第二涂層的下表面，形成具有第二橫截面和所述目標橫截面的TEM樣品結構；
步驟S6、繼續對所述TEM樣品的目標橫截面進行分析；
其中，所述目標橫截面與所述第一橫截面之間的距離為40-60nm。
2.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，所述第一涂層和所述第二涂層的材質均為油性材料。
3.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，采用聚焦離子束進行所述切割的操作，且所述切割的方向與所述溝槽的側壁方向平行。
4.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，步驟S4中將樣品旋轉180度或調整切割的位置后，繼續切割所述第一樣品結構上剩余的第一涂層至剩余的襯底的下表面，形成具有目標橫截面的第二樣品結構。
5.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，所述銅籽晶結構還包括擴散阻擋層和銅籽晶層；
所述溝槽位于所述襯底中，所述阻擋層覆蓋所述溝槽的底部及其側壁，所述銅籽晶層覆蓋所述阻擋層的表面，所述第一涂層覆蓋所述銅籽晶層的表面且充滿所述溝槽。
6.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，所述第一樣品結構至少包括部分填充至所述溝槽中的第一涂層。
7.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，所述TEM樣品還包括剩余的第二涂層和第一橫截面，所述剩余的第二涂層覆蓋所述第一橫截面，且所述目標橫截面分別與所述第一橫截面、第二橫截面平行。
8.根據權利要求1所述的一種制備TEM樣品的方法，其特征在于，所述TEM樣品的目標橫截面與所述第二橫截面之間的距離小于100nm。
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