[發(fā)明專利]一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310082081.X
• 申請(qǐng)日: 2013-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN103151359A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔承鎮(zhèn);劉圣烈;宋泳錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1343;G03F7/00
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，所述基板上依次設(shè)有薄膜晶體管、鈍化層和透明電極層，所述樹鈍化層上形成有凹槽，所述透明電極層設(shè)置于凹槽內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層由感光樹脂材料制成。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽的高度為0.5-3um。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于凹槽內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的公共電極；

或者，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為公共電極，所述公共電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的像素電極。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上形成包括薄膜晶體管和鈍化層的圖形，所述鈍化層上形成凹槽；

在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶體管，具體包括：

在基板上通過構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形；

在完成上述步驟的基板上形成柵絕緣層；

在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成有源層和源漏電極層的圖形。

9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成具有凹槽的鈍化層的圖形包括：

在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成鈍化層；

在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，對(duì)應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠進(jìn)行部分曝光，對(duì)應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的光刻膠進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的光刻膠不進(jìn)行曝光；

通過顯影處理后，對(duì)應(yīng)所述完全曝光區(qū)域的鈍化層暴露出來，利用刻蝕工藝形成所述漏極的過孔；

利用灰化工藝，將所述對(duì)應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠去除，以暴露出鈍化層；

利用刻蝕工藝將暴漏出的鈍化層進(jìn)行部分去除，在鈍化層上形成所述凹槽。

10.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成具有凹槽的鈍化層圖形包括：

在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成感光樹脂層，通過雙色調(diào)掩模板掩模板對(duì)感光樹脂層進(jìn)行曝光，使得對(duì)應(yīng)透明電極區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行部分曝光，在對(duì)應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的所述感光樹脂層不進(jìn)行曝光，通過顯影工藝后，所述感光樹脂層對(duì)應(yīng)透明電極的區(qū)域形成凹槽的圖形。

11.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形，具體包括：

在形成凹槽的基板上形成透明導(dǎo)電層；

在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠；

依據(jù)鈍化層上具有的凹槽，形成在凹槽部分的光刻膠和凹槽以外的光刻膠的厚度差，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理，保留凹槽區(qū)域的光刻膠，去除凹槽以外其他區(qū)域的光刻膠以暴露出透明導(dǎo)電層；

采用刻蝕工藝將暴露出的透明導(dǎo)電層去除，剝離所述凹槽部分的的光刻膠，形成透明電極的圖形。

12.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明電極為像素電極。

13.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極為像素電極，在形成鈍化層之前，還包括形成公共電極的圖形。

14.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極為公共電極，在形成鈍化層之前，還包括形成像素電極的圖形。