[發明專利]形成大馬士革銅金屬層的方法

無效

• 申請號: 201310082041.5
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN103151303A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

于一半導體結構襯底上從下至上順序依次沉積刻蝕停止層、介電質層、硬掩膜層和介質抗反射層；

采用光刻、刻蝕工藝，回蝕所述介質抗反射層至所述半導體結構襯底的上表面，形成大馬士革溝槽；

沉積阻擋層覆蓋所述大馬士革溝槽的底部及其側壁；

電鍍金屬充滿所述大馬士革溝槽并覆蓋所述阻擋層的上表面，形成金屬層；

采用平坦化工藝去除部分所述金屬層至剩余的硬掩膜層的上表面后，去除所述剩余的硬掩膜層，形成金屬互聯結構。

2.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述介質抗反射層于所述刻蝕工藝中被完全去除，且所述阻擋層還覆蓋剩余的硬掩膜層上表面。

3.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述半導體結構襯底為具有底層器件結構的硅片。

4.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為氮化硅或摻氮碳化硅。

5.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述介電質層的材質為二氧化硅或摻碳二氧化硅。

6.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質為非晶體碳，且采用灰化工藝去除所述剩余的硬掩膜層。

7.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為氮化鉭或鉭。

8.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述金屬為銅。

9.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學機械研磨工藝。

10.根據權利要求1所述的形成大馬士革銅金屬層的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的硬度大于所述金屬層的硬度，且所述硬掩膜層的楊氏模量大于所述金屬層的楊氏模量。