[發(fā)明專(zhuān)利]晶片檢查用接口和晶片檢查裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310081922.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103308735A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山田浩史 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R1/073 | 分類(lèi)號(hào): | G01R1/073;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 檢查 接口 裝置 | ||
1.一種晶片檢查用接口,其特征在于,包括:
探針卡,其具有基板和多個(gè)探針,該多個(gè)探針與形成在晶片上的多個(gè)半導(dǎo)體器件的電極相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在該基板的與該晶片相對(duì)的面上;
框架,其與所述探針卡的與所述晶片相對(duì)的面的相反側(cè)的面抵接,支承該探針卡;和
墊片,其形成在所述探針卡的與所述框架的抵接面上,調(diào)整該探針卡的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述墊片是用于確保所述探針卡的與所述晶片相對(duì)的面的平滑度的墊片。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述探針卡的與所述晶片相對(duì)的面是由形成在該探針卡的與所述晶片相對(duì)的面上的多個(gè)探針的前端部形成的面。
4.如權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述探針卡的所述多個(gè)探針劃分為對(duì)應(yīng)于形成在所述晶片上的多個(gè)半導(dǎo)體器件的多個(gè)探針組,
所述墊片設(shè)置于所述多個(gè)探針組彼此的間隙中。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述多個(gè)探針組以棋盤(pán)格狀排列,所述墊片設(shè)置于排列為所述棋盤(pán)格狀的所述多個(gè)探針組彼此間的格子狀的間隙的角部。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述墊片俯視時(shí)呈十字狀。
7.如權(quán)利要求1~6中的任一項(xiàng)所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述墊片由熱膨脹率與所述探針卡的基板相同或相近的低膨脹率材料形成。
8.如權(quán)利要求1~7中的任一項(xiàng)所述的晶片檢查用接口,其特征在于:
所述平滑度為算術(shù)平均粗糙度Ra≦30μm。
9.一種晶片檢查裝置,其具有檢查形成在晶片上的半導(dǎo)體器件的電特性的檢查室和對(duì)該檢查室搬出搬入所述晶片的搬送機(jī)構(gòu),該晶片檢查裝置的特征在于:
所述檢查室具有晶片檢查用接口,
該晶片檢查用接口包括:
探針卡,其具有基板和多個(gè)探針,該多個(gè)探針與形成在該晶片上的多個(gè)半導(dǎo)體器件的電極相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在該基板的與晶片相對(duì)的面上;
框架,其與所述探針卡的與所述晶片相對(duì)的面的相反側(cè)的面抵接,支承該探針卡;和
墊片,其形成在所述探針卡的與所述框架的抵接面上,調(diào)整該探針卡的厚度。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R1-00 包含在G01R 5/00至G01R 13/00和G01R 31/00組中的各類(lèi)儀器或裝置的零部件
G01R1-02 .一般結(jié)構(gòu)零部件
G01R1-20 .電測(cè)量?jī)x器中所用的基本電氣元件的改進(jìn);這些元件和這類(lèi)儀器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-28 .在測(cè)量?jī)x器中提供基準(zhǔn)值的設(shè)備,例如提供標(biāo)準(zhǔn)電壓、標(biāo)準(zhǔn)波形
G01R1-30 .電測(cè)量?jī)x器與基本電子線路的結(jié)構(gòu)組合,例如與放大器的結(jié)構(gòu)組合
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