[發(fā)明專利]提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310081898.5 | 申請日： | 2013-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN103199013A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 pmos 柵氧負 偏壓 溫度 不穩(wěn)定性 方法 | ||
1.一種提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，包括：
采用預(yù)清洗工藝對一半導(dǎo)體襯底的表面進行處理；
繼續(xù)對所述半導(dǎo)體襯底進行柵氧生長工藝后，進行退火工藝；
其中，所述預(yù)清洗工藝為SiCoNi清洗工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，當采用爐管方式進行所述柵氧生長工藝時，對所述半導(dǎo)體襯底進行所述預(yù)清洗工藝和進行所述柵氧生長工藝之間的間隔時間小于1小時。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為PMOS硅襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用NF3和NH3進行所述SiCoNi清洗工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述NF3和NH3的流量為1-1000sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述SiCoNi清洗工藝的工藝時間為3-30s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度大于100℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高PMOS柵氧負偏壓溫度不穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述退火工藝的退火時間為15-80s。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
