[發明專利]制造光伏器件的方法

有效

• 申請號: 201310081875.4
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN104051565B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 曹金波;威廉.H.胡貝爾;梁勇;徐晟
• 申請（專利權）人: 第一太陽能馬來西亞有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/073
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 葛青

1.一種方法，包括：

（a）將覆蓋層設置在透明導電氧化物層上，其中所述覆蓋層包括元素鎂、鎂合金、二元鎂氧化物或它們的組合；

（b）在所述覆蓋層上設置窗口層；以及

（c）在所述透明導電氧化物層和所述窗口層之間形成層間層，其中所述層間層包括鎂。

2.如權利要求1所述的方法，其中步驟（a）包括將所述覆蓋層設置成與所述透明導電氧化物層直接接觸。

3.如權利要求2所述的方法，還包括在步驟（b）之前在所述覆蓋層上設置緩沖層。

4.如權利要求1所述的方法，還包括在所述透明導電氧化物層上設置緩沖層，并且其中步驟（a）包括將所述覆蓋層設置在所述緩沖層上。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電氧化物層包括氧化鎘錫、氧化鋅錫、氧化銦錫、摻氟氧化錫、摻銦氧化鎘、摻雜氧化鋅或它們的組合。

6.如權利要求4所述的方法，其中所述緩沖層包括二氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋅錫或它們的組合。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述窗口層包括硫化鎘、氧合硫化鎘、硫化鋅、硫化鎘鋅、硒化鎘、硒化銦、硫化銦或它們的組合。

8.如權利要求1所述的方法，還包括在所述窗口層上設置吸收層。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述吸收層包括碲化鎘、碲化鎘鋅、碲化鎘硫、碲化鎘硒、碲化鎘錳、碲化鎘鎂、硫化銅銦、銅銦鎵硒化物、銅銦鎵硫化物或它們的組合。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述覆蓋層的厚度在約0.2納米至約200納米的范圍內。

11.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋層的步驟包括蒸發、原子層沉積、濺射或它們的組合。

12.如權利要求1所述的方法，其中同時實施步驟（b）和（c）。

13.如權利要求1所述的方法，其中順次地實施步驟（b）和（c）。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述層間層還包括錫、硫、氧、鋅、鎘或它們的組合。

15.如權利要求1所述的方法，其中所述層間層包括鎂合金、含鎂和錫的化合物或它們的組合。

16.一種方法，包括：

（a）將覆蓋層設置在透明導電氧化物層上，其中所述覆蓋層包括元素鎂、鎂合金、二元鎂化物或它們的組合；

（b）在所述覆蓋層上設置窗口層，其中所述窗口層包括鎘和硫；以及

（c）在所述透明導電氧化物層和所述窗口層之間形成層間層，其中所述層間層包括鎂。

17.如權利要求1所述的方法，其中步驟（a）包括將所述覆蓋層設置成與所述透明導電氧化物層直接接觸。

18.如權利要求1所述的方法，還包括在所述透明導電氧化物層上設置緩沖層，并且其中步驟（a）包括將所述覆蓋層設置在所述緩沖層上。

19.如權利要求16所述的方法，其中所述層間層包括鎂合金、含鎂和錫的化合物或它們的組合。

20.一種方法，包括：

（a）將覆蓋層設置在位于透明導電氧化物層上的緩沖層上，其中所述覆蓋層包括二元鎂氧化物；

（b）在所述覆蓋層上設置窗口層，其中所述窗口層包括鎘和硫；

（c）在所述透明導電氧化物層和所述窗口層之間形成層間層，其中所述層間層包括鎂；以及

（d）在所述窗口層上設置吸收層。