[發(fā)明專利]燃燒式有害氣體處理裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310081239.1 | 申請日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN104046956A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蔡孟修;曾偉庭;李建霖 | 申請(專利權)人: | 友荃科技實業(yè)股份有限公司;漢科系統(tǒng)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;楊建君 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燃燒 有害 氣體 處理 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種廢氣處理裝置,特別是涉及一種燃燒式有害氣體處理裝置。
背景技術
半導體工業(yè)制程中利用化學氣相沉積(CVD,ChemicalVapor?Deposition)技術生成磊晶,原理是用反應氣體于基材上沉積薄膜,制程中需使用全氟化物(PFCs)氣體作為反應室的清洗用途(Chamber?Clean),而在蝕刻(Etch)過程也有使用PFCs氣體。
但半導體制程中使用的全氟化物(PFCs),如CF4、C2F6、NF3、SF6、CHF3及C3F8等,其F-C、F-S及F-N的分子鍵具有相當高的紅外線吸收能力,為高溫室效應氣體,對溫室效應的影響遠高過CO2數倍,因此有愈來愈多國際組織管制PFCs氣體的排放,及制定溫室效應氣體的減量計劃。
目前處理PFCs氣體較為成熟的技術有燃燒法(熱處理法)、觸媒熱裂解及電漿破壞等。燃燒法是用燃燒頭產生高溫火焰去除污染物氣體;觸媒熱裂解法是利用觸媒分解PFCs氣體;電漿破壞是利用高能量的電子將PFCs氣體的化學鍵激發(fā)或打斷,讓PFCs氣體轉化。
其中燃燒法目前多是燃燒瓦斯(天然氣,甲烷)產生火焰以去除PFCs氣體,然而瓦斯燃燒后會產生出二氧化碳(CO2),二氧化碳也屬于溫室效應氣體的一種,且瓦斯并不安定,在使用及儲放上都需要多加留意,以免工安意外發(fā)生,因此利用瓦斯的燃燒法還是有克服的空間。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種減少溫室效應氣體產生的燃燒式有害氣體處理裝置。
本發(fā)明燃燒式有害氣體處理裝置,包含一個用于儲存水液的儲液槽,及一個與該儲液槽相連接的燃燒單元。
該燃燒單元包括一個圍繞出一個燃燒區(qū)的主管、一個用于將有害氣體導入該主管的燃燒區(qū)的導引管、一個用于接受氫氧氣體并朝該主管的燃燒區(qū)噴出氫氧焰的噴火頭,及一個連通該主管并伸入該儲液槽的水液內的排氣管。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用于下技術措施進一步實現。
較佳地,前述的該燃燒式有害氣體處理裝置還包含一個用于產生氫氧氣體的氫氧氣產生器,該氫氧氣產生器包括一個盛裝有電解水的電解槽、多個間隔設置在該電解槽內并浸泡在電解水中的電極板、一個連通該噴火頭與電解槽并將氫氧氣體導引至該噴火頭的氫氧管,及一個電連接所述電極板且用于對電解水通電而電解產生氫氧氣體的供電源。
較佳地,前述的該燃燒式有害氣體處理裝置還包含一個洗滌單元,該洗滌單元包括一個在該主管與排氣管末端間且朝該排氣管內噴出水霧的第一噴霧件。
較佳地,前述的燃燒式有害氣體處理裝置,其中該燃燒單元還包括一個連通該儲液槽的輔助排氣管,及一個連通該排氣管與輔助排氣管的連接管,該連接管的一端是朝向該第一噴霧件,前述的該第一噴霧件由該排氣管朝該連接管的軸向噴出水霧。
較佳地,前述的燃燒式有害氣體處理裝置,其中該輔助排氣管具有一個與該儲液槽連通的進口段、一個相反該進口段的出口段,及一個連接該進口段與出口段的中間段,且該出口段是朝遠離該儲液槽的方向漸縮,該連接管的兩端分別連接在排氣管與輔助排氣管的進口段。
較佳地,前述的燃燒式有害氣體處理裝置,其中該洗滌單元還包括至少一個設置在該輔助排氣管的中間段且朝該輔助排氣管的中間段內噴出水霧的第二噴霧件。
本發(fā)明的有益效果在于:氫氧氣體燃燒時,熱值較瓦斯高,產生較高溫的火焰,對有害氣體的處理效率佳,且氫氧氣體燃燒后產生的是水,更減少二氧化碳等溫室氣體的產生,相較燃燒瓦斯更為環(huán)保。
附圖說明
圖1是一示意圖,說明本發(fā)明燃燒式有害氣體處理裝置的一較佳實施例。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
參閱圖1,為本發(fā)明燃燒式有害氣體處理裝置的一較佳實施例,包含一儲液槽2、一與該儲液槽2相連接的燃燒單元3、一設置在該燃燒單元3上的洗滌單元4,及一產生氫氧氣體的氫氧氣產生器5。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





