[發(fā)明專利]一種利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310080808.0 | 申請日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN104045075B | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李鐵;梁晨;王躍林 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | C01B32/186 | 分類號: | C01B32/186 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 化學(xué) 沉積 法制 摻雜 石墨 方法 | ||
1.一種利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于,至少包括以下步驟:
1)提供一金屬襯底,將該金屬襯底置于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔中;
2)采用惰性氣體對所述反應(yīng)腔進(jìn)行通氣及排氣處理;
3)于第一溫度下對所述反應(yīng)腔通入氫氣,以對所述金屬襯底表面的氧化物進(jìn)行還原;
4)于第二溫度下將碳源氣體與硫源氣體通入所述反應(yīng)爐進(jìn)行反應(yīng),于所述金屬襯底表面形成硫摻雜石墨烯,所述硫源包括硫化氫及硫化羰中的一種,采用惰性氣體、氫氣、甲烷及硫化氫為反應(yīng)氣體形成硫摻雜石墨烯,或者采用惰性氣體、氫氣、乙炔及硫化羰為反應(yīng)氣體形成硫摻雜石墨烯;
5)于氫氣及惰性氣體氣氛中對所述反應(yīng)腔進(jìn)行降溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述金屬襯底為銅箔或具有電鍍銅表面的基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟2)中,惰性氣體的通氣及排氣處理時間為10~30min,氣流范圍為500~5000sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟3)所述第一溫度為200~600℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟3)所述氫氣的氣流范圍為20~100sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟4)中,于900~1050℃的第二溫度下,采用惰性氣體、氫氣、甲烷及硫化氫為反應(yīng)氣體形成硫摻雜石墨烯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述惰性氣體氣流為500~1500sccm,氫氣氣流為20~60sccm,甲烷氣流為2~10sccm,硫化氫氣流為1~5sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟4)中,于900~1050℃的第二溫度下,采用惰性氣體、氫氣、乙炔及硫化羰為反應(yīng)氣體形成硫摻雜石墨烯。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:所述惰性氣體氣流為500~1500sccm,氫氣氣流為10~50sccm,乙炔氣流為1~4sccm,硫化羰氣流為0.5~3sccm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用化學(xué)氣相沉積法制備硫摻雜石墨烯的方法,其特征在于:步驟5)中,氫氣的氣流范圍為10~40sccm,惰性氣體的氣流范圍為50~200sccm。
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