[發明專利]自對準雙構圖方法

有效

• 申請號: 201310080600.9
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN104051255B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 張海洋;張城龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/033
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種自對準雙構圖方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，在所述待刻蝕層上形成具有溝槽的第一材料層，所述溝槽的開口大，底部小，且所述溝槽的底部暴露所述待刻蝕層；

在所述溝槽內填入第二材料層；

去除所述第一材料層，保留填入的所述第二材料層，所述第二材料層的頂部尺寸大于底部尺寸；

對所述第二材料層進行修正，所述修正對所述第二材料層的頂部去除量大于對所述第二材料層的底部去除量；

在所述第二材料層上形成厚度一致的第三材料層；

回蝕所述第三材料層形成側墻；

去除所述第二材料層，保留其周圍的側墻；

以所述側墻為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層形成雙構圖的圖案。

2.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，對所述第二材料層進行修正步驟中，使得所述第二材料層的側壁豎直。

3.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第一材料層的材質為無定形碳，其內的溝槽通過光刻、刻蝕法形成。

4.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第二材料層為含硅抗反射層。

5.根據權利要求1或2或4所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第二材料層的修正采用干法刻蝕。

6.根據權利要求4所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第二材料層的修正采用的刻蝕氣體及流量為：CF₄：0-200sccm，HBr：0-200sccm，Cl₂：0-200sccm，O₂：0-200sccm，He：0-200sccm，Ar：0-200sccm，壓強為：3mTorr-200mTorr，功率為：100W-1000W。

7.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述待刻蝕層為多晶硅、金屬或二氧化硅。

8.根據權利要求7所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述待刻蝕層還包括硬掩膜層，所述硬掩膜層的材質為氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化鈦、氮化鋁、氮化銅或上述至少兩種材料的組合。

9.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第三材料層的材質為氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或上述至少兩種材料的組合。

10.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第三材料層通過原子層沉積法形成。

11.根據權利要求1所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，去除所述第一材料層前，還對所述第二材料層進行回蝕。

12.根據權利要求4所述的自對準雙構圖方法，其特征在于，所述第二材料層采用顯影液去除。