[發明專利]一種半導體封裝結構及其制備方法有效
申請號: | 201310080595.1 | 申請日: | 2013-03-13 |
公開(公告)號: | CN104051323B | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
發明(設計)人: | 楊志剛;陳林林 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/532;H01L23/488 |
代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 半導體 封裝 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體封裝結構的制備方法,其特征在于,
在半導體襯底上形成金屬互連層;
在金屬互連層上形成金屬屏蔽層,所述金屬屏蔽層為多層疊加結構,多層疊加結構中的各層由下至上熱膨脹系數遞減,且退火工序中,金屬互連層以及多層疊加結構中的各層由下至上,熱脹冷縮的體積變化依次遞減;
在所述金屬屏蔽層上形成焊盤層。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述多層疊加結構為雙層疊加結構或三層疊加結構。
3.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于,當金屬屏蔽層為雙層疊加結構時,形成步驟包括:
在所述金屬互連層上形成Ti層;
在所述Ti層上形成TaN層。
4.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于,當金屬屏蔽層為三層疊加結構時,形成步驟包括:
在所述金屬互連層上形成Ti層;
在所述Ti層上形成TiN層;
在所述TiN層上形成TaN層。
5.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,形成金屬屏蔽層的方法為物理氣相沉積法。
6.如權利要求3或4所述的制備方法,其特征在于,所述TaN層的厚度為100埃至800埃。
7.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,在形成金屬屏蔽層之前,還包括:
在所述金屬互連層上方沉積鈍化層;
在鈍化層上形成開口露出所述金屬互連層。
8.一種半導體封裝結構,包括:
位于半導體襯底上的金屬互連層;位于所述金屬互連層上的金屬屏蔽層;位于所述金屬屏蔽層上的焊盤層;
其特征在于,所述金屬屏蔽層為多層疊加結構,所述多層疊加結構中的各層由下至上熱膨脹系數遞減,且退火工序中,金屬互連層以及多層疊加結構中的各層由下至上,熱脹冷縮的體積變化依次遞減。
9.如權利要求8所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述多層疊加結構為雙層疊加結構或是三層疊加結構。
10.如權利要求9所述的半導體封裝結構,其特征在于,當所述多層疊加結構為雙層疊加結構時,所述金屬屏蔽層包括:Ti層和位于所述Ti層上的TaN層。
11.如權利要求9所述的半導體封裝結構,其特征在于,當所述多層疊加結構為三層疊加結構時,所述金屬屏蔽層包括:Ti層、位于所述Ti層上的TiN層和位于所述TiN層上的TaN層。
12.如權利要求10或11所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述TaN層的厚度為100~800埃。
13.如權利要求8所述的半導體封裝結構,其特征在于,還包括:在所述金屬互連層上沉積有鈍化層,所述金屬屏蔽層和焊盤層位于所述鈍化層中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造