[發(fā)明專利]CIS芯片及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310080462.4
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103579266A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余振華;邱文智;林俊成
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

圖像傳感器，位于所述半導(dǎo)體襯底的正面處；

多個介電層，位于所述圖像傳感器上方；

通孔，穿透所述半導(dǎo)體襯底；

第一再分布線(RDL)，位于所述多個介電層上方，所述RDL與所述通孔電連接；以及

聚合物層，覆蓋所述第一RDL。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述聚合物層與所述第一RDL的頂面和側(cè)壁接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述聚合物層包括感光聚合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括：

微透鏡，位于所述多個介電層上方；以及

氧化物層，位于所述微透鏡上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述氧化物層進(jìn)一步包括位于所述聚合物層的頂面上的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述聚合物層沒有與所述微透鏡重疊的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述通孔進(jìn)一步穿透所述多個介電層，并且所述通孔的頂端與所述第一RDL接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括：

第二RDL，位于所述半導(dǎo)體襯底的背面上；以及

電連接件，位于所述半導(dǎo)體襯底的背面上，所述電連接件與所述第二RDL和所述通孔電連接。

9.一種器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

圖像傳感器陣列，位于所述半導(dǎo)體襯底的正面處；

互連結(jié)構(gòu)，位于所述圖像傳感器上方，所述互連結(jié)構(gòu)包括：

多個介電層；和

鈍化層，位于所述多個介電層上方；

多個通孔，穿透所述半導(dǎo)體襯底、所述多個介電層和所述鈍化層；

多條再分布線(RDL)，位于所述鈍化層上方；

聚合物層，位于所述多條RDL的頂面和側(cè)壁上；以及

多個電連接件，位于所述半導(dǎo)體襯底的下方，所述多個電連接件通過所述多個通孔與所述多條RDL電連接。

10.一種方法，包括：

蝕刻多個介電層和所述多個介電層下方的半導(dǎo)體襯底以形成通孔開口，其中，在所述半導(dǎo)體襯底的頂面處形成圖像傳感器，并且所述通孔開口從所述頂面延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；

填充所述通孔開口以形成通孔；

形成位于所述通孔上方并且電連接至所述通孔的再分布線(RDL)；

形成位于所述多個介電層上方并與所述圖像傳感器對準(zhǔn)的濾色器和微透鏡；

形成覆蓋所述RDL的聚合物層；以及

圖案化所述聚合物層以去除所述聚合物層與所述微透鏡重疊的第一部分，其中，在所述圖案化步驟之后，保留所述聚合物層與所述RDL重疊的第二部分。