[發明專利]深溝槽中具有氣隙的半導體隔離結構

有效

• 申請號: 201310080401.8
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103456768A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 許鴻生;楊岱宜;吳威鼎;鐘明達;游紹祺
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

半導體襯底；

接觸塞，位于所述半導體襯底上方；以及

層間介電(ILD)層，位于所述半導體襯底上方，并且所述接觸塞設置在所述ILD層中，其中氣隙被所述ILD層的一部分和所述半導體襯底密封，并且所述氣隙形成環繞所述半導體襯底的一部分的完整的氣隙環。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括：

金屬氧化物半導體(MOS)器件，位于所述半導體襯底的頂面，其中所述MOS器件包括：

柵電極，位于所述半導體襯底的上方；以及

源極/漏極區，鄰近所述柵電極，其中，所述ILD層包括在所述柵

電極和所述源極/漏極區上方延伸的第一部分和延伸到所述半導體襯

底內的第二部分，并且所述氣隙和所述源極/漏極區位于所述ILD層的

第二部分的相對面上。

3.根據權利要求2所述的器件，還包括位于所述源極/漏極區上方的源極/漏極硅化物區，其中，所述ILD層包括與所述源極/漏極硅化物區重疊的一部分。

4.根據權利要求2所述的器件，其中，所述ILD層的第一部分和第二部分連續地連接到位于所述半導體襯底中且位于所述氣隙下面的ILD層的一部分，從而形成連續的ILD區。

5.根據權利要求1所述的器件，還包括另一氣隙，所述另一氣隙位于所述半導體襯底中并且形成環繞所述半導體襯底的一部分的另一完整的氣隙環，其中，完整的氣隙環的一側連接所述另一完整的氣隙環的一側。

6.一種器件，包括：

半導體襯底；

深溝槽，從所述半導體襯底的頂面延伸到所述半導體襯底內；

金屬氧化物半導體(MOS)器件，位于所述半導體襯底的頂面，其中所述MOS器件包括：

柵電極，位于所述半導體襯底上方；和

源極/漏極區，鄰近所述柵電極和所述深溝槽；以及

層間介電(ILD)層，位于所述柵電極和所述源極/漏極區上方，其中所述ILD層還延伸到所述深溝槽內，并且所述ILD層密封所述深溝槽中的氣隙。

7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述深溝槽的側壁與所述深溝槽的底部形成小于90度的銳角。

8.根據權利要求6所述的器件，其中，從所述MOS器件的頂部向下觀察，所述氣隙形成環繞所述MOS器件的完整的環。

9.一種方法，包括：

在半導體襯底的頂面形成金屬氧化物半導體(MOS)器件；

在形成所述MOS器件的步驟之后，在所述半導體襯底中形成深溝槽；以及

在所述MOS器件上方形成層間介電(ILD)層，其中，所述ILD層延伸到所述深溝槽內，并且所述ILD層密封所述深溝槽中的氣隙。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在形成所述MOS器件的步驟之前，形成延伸到所述半導體襯底內的淺溝槽隔離(STI)區；或者

在形成所述ILD層的步驟之后，在所述ILD層中形成接觸塞，其中，所述接觸塞電連接到所述MOS器件的源極/漏極區。