[發明專利]一種制備SiC納米線的方法有效
| 申請號: | 201310080138.2 | 申請日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN103253671A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 潘建梅;程曉農;嚴學華;張成華;盧青波 | 申請(專利權)人: | 江蘇大學 |
| 主分類號: | C01B31/36 | 分類號: | C01B31/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 sic 納米 方法 | ||
1.一種制備SiC納米線的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)木粉預處理:將家裝廢棄后的杉木木屑經篩分后球磨,取出烘干,處理后的木粉篩分后取粒徑小于32μm的木粉備用;
固體聚硅氧烷的合成:將含氫硅油為高分子先驅體,二乙烯基苯為交聯劑,氯鉑酸溶液為催化劑,超聲振蕩混合均勻后在120℃下交聯12h后合成固體聚硅氧烷;
(2)木粉和聚硅氧烷復合:采用木粉為碳源,聚硅氧烷為硅源,將木粉和聚硅氧烷球磨至均勻混合;
(3)高溫燒結:將上述混合均勻的粉末原料置于三氧化二鋁瓷舟中再放入管式爐內,抽真空后并通入Ar氣后高溫燒結,燒結起始溫度為50℃,以5℃/min的速度升至150℃,保溫15min后;以2℃/min的速度升溫至400℃保溫30min;再以5℃/min?的速度升溫至1200℃-1400℃保溫后冷卻。
2.如權利要求1所述的一種制備SiC納米線的方法,其特征在于:步驟(1)中所述球磨的時間為24h,轉速250r/min。
3.如權利要求1所述的一種制備SiC納米線的方法,其特征在于:步驟(2)中所述的含氫硅油、二乙烯基苯和氯鉑酸的的質量比為6:3:1,氯鉑酸溶液的濃度為11.3ppm。
4.如權利要求1所述的一種制備SiC納米線的方法,其特征在于:步驟(3)中所述木粉和聚硅氧烷的質量比為1~3:1,球磨時間為12h,球磨速率為250r/min。
5.如權利要求1所述的一種制備SiC納米線的方法,其特征在于:步驟(4)中所述升溫至1200-1400℃后的保溫時間為3-5h,整個燒結過程中的Ar氣流量為0.1L/min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇大學,未經江蘇大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310080138.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種咨詢服務提供方法及系統
- 下一篇:一種院線自助購票系統





