[發明專利]導通孔的制作方法

在審

• 申請號: 201310080091.X
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN104053311A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 梁順翔;黃文成
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種導通孔的制作方法，且特別是涉及一種二階段式的導通孔的制作方法。

背景技術

在目前的線路板制作工藝中，在絕緣基板中形成導通孔（conductive?through?via）的方法通常是先利用激光鉆孔或機械鉆孔的方式于絕緣基板中形成通孔（through?hole），然后利用電鍍的方式于通孔中形成導電層。

對于具有高深寬比的通孔，目前大多采用二階段式的填孔制作工藝來填入導體層。舉例來說，在絕緣基板中形成通孔之后，進行電鍍脈沖反向（plating?pulse?reverse，PPR）電鍍制作工藝，先在通孔中形成一部分的導體層。此階段也稱為接孔（bridge）階段。在接孔階段之后，繼續進行電鍍脈沖反向電鍍制作工藝，利用更強的反向電流來進行電鍍，以形成另一部分的導體層來將通孔填滿。此階段也稱為填孔（filling）階段。

然而，在上述的填孔制作工藝中，由于在二個階段中都使用反向電流，因此容易形成較大且松散的金屬晶粒。如此一來，晶粒邊界（grain?boundary）之間的間隙容易被X射線包孔檢查機判定為包孔。所謂的包孔即為導電層填入導通孔后導電層中具有孔洞的現象，其容易導致導通孔在電性上產生問題以及使可靠度降低。此外，由于在填孔階段中使用了更強的反向電流來進行電鍍，因而使得包孔問題更為嚴重。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導通孔的制作方法，其依序采用電鍍脈沖反向電鍍制作工藝與直流電（direct?current，DC）電鍍制作工藝來制作導通孔。

本發明的導通孔的制作方法是先于基板中形成通孔。然后，進行電鍍脈沖反向電鍍制作工藝，以于通孔的中央部分形成第一導電層。之后，進行直流電電鍍制作工藝，以于通孔的剩余部分形成第二導電層。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的通孔的深寬比大于或等于2。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的第一導電層在通孔的深度方向上的厚度為通孔的深度的50%以上且小于通孔的深度的90%。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的第二導電層的表面處具有凹陷，且此凹陷的深度小于10μm。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的基板具有彼此相對的第一表面與第二表面，且通孔包括第一通孔與第二通孔。第一通孔的頂部鄰近第一表面，而第二通孔的底部鄰近第二表面。此外，第一通孔的底部與第二通孔的頂部連接，且第一通孔的頂部的孔徑大于底部的孔徑，第二通孔的頂部的孔徑小于底部的孔徑。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的通孔具有垂直側壁。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的通孔的形成方法包括激光鉆孔或機械鉆孔。

依照本發明實施例所述的導通孔的制作方法，上述的基板包括介電基板。

基于上述，本發明采用依序進行電鍍脈沖反向電鍍制作工藝與直流電電鍍制作工藝的二階段式電鍍制作工藝來制作導通孔。由于在直流電電鍍制作工藝中并未使用反向電流，因此在形成導電層時可以有效地避免形成較大且松散的金屬晶粒，進而降低了包孔的發生機率。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1C為依照本發明的實施例所繪示的導通孔的制作流程剖面示意圖。

符號說明

100：基板

100a：第一表面

100b：第二表面

102：通孔

104：第一通孔

106：第二通孔

108：第一導電層

110：第二導電層

112：凹陷

具體實施方式