[發明專利]一種MOS晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201310080081.6
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN104051265B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;倪景華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟：

1)形成MOS晶體管的中間結構，至少包括：半導體襯底、兩側具有第一側墻以及第二側墻的柵極結構、位于所述第二側墻外的半導體襯底中的凹槽結構、填充于所述凹槽結構內并具有凸起結構的填充層、形成于填充層中的源區及漏區、以及與源區及漏區相連的淺摻雜源及淺摻雜漏,先形成具有第一側墻以及第二側墻的柵極結構，后形成淺摻雜源及淺摻雜漏，最后形成源區及漏區；

2)去除所述第二側墻；

3)采用各向同性離子摻雜工藝對所述凸起結構的表面及所述淺摻雜源及淺摻雜漏進行均勻摻雜，所述的各向同性離子摻雜工藝為激光誘導原子層摻雜工藝，包括步驟：a)于所述源區、漏區、淺摻雜源及淺摻雜漏表面形成預設離子濃度的外延層；b)通過激光誘導工藝使所述摻雜層中的離子擴散至所述凸起結構、淺摻雜源及淺摻雜漏中以形成摻雜層。

2.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：步驟3)中的離子摻雜濃度為1E18～1E21atom/cm³，摻雜深度為5～25nm。

3.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述填充層為SiGe填充層，步驟3)所采用的摻雜離子為硼離子。

4.根據權利要求3所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：所述摻雜層為具有壓縮應力的摻雜層。

5.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述填充層為SiC填充層，步驟3)所采用的摻雜離子為磷離子或砷離子。

6.根據權利要求5所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：所述摻雜層為具有拉伸應力的摻雜層。

7.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：步驟3)后還包括于MOS晶體管表面形成覆蓋所述柵極結構的絕緣層，并對所述絕緣層進行拋光直至露出所述柵極結構的步驟。

8.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制作方法，其特征在于：所述第二側墻為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一種或一種以上的組合。